Austausch über europäische Halbleiter und klimaneutrale Technologien

Der »European Chips Act« soll die Wettbewerbsfähigkeit und Souveränität Europas im Bereich der Halbleitertechnologien stärken und dazu beitragen, sowohl den digitalen Wandel voranzutreiben als auch klimaneutrale Technologien weiterzuentwickeln. Als eines der führenden Forschungsinstitute auf dem Gebiet der III/V-Halbleitertechnologien besitzt das Fraunhofer IAF die dafür nötigen Kernkompetenzen. Durch ihren Besuch erhielt MdB Chantal Kopf vor Ort einen Einblick in die praktische Forschungs- und Entwicklungsarbeit anhand der gesamten Halbleiter-Wertschöpfungskette, wie sie die Forschenden des Fraunhofer IAF von der Materialentwicklung bis hin zum fertigen Modul abbilden.

»Wir erleben derzeit, welche Risiken mit asymmetrischen Abhängigkeiten in globalen Lieferketten einhergehen. Die Stärkung von Forschung, Entwicklung und Produktion in Europa in Schlüsselbranchen wie der Halbleitertechnologien hat für uns eine große Priorität und ich setze mich dafür ein, dass wir damit zügig vorankommen und ausreichende finanzielle Mittel zur Verfügung stellen. Umso mehr freue ich mich, dass mit dem Fraunhofer IAF in Freiburg in meinem Wahlkreis wichtige Innovationen etwa bei der Hochfrequenzelektronik entstehen und dabei auch die Frage einer klimafreundlichen Digitalisierung eine zentrale Rolle spielt,« so MdB Chantal Kopf.

Rüdiger Quay sieht in der Zusammenarbeit eine wichtige Säule, um die Zukunft positiv zu gestalten: »Politik und angewandte Forschung sind aufeinander angewiesen: Innovative Technologien können das Leben der Menschen nachgewiesenermaßen verbessern und so entscheidend dazu beitragen, einen zentralen Auftrag der Politik zu erfüllen. Doch ohne entsprechende politische Rahmenbedingungen haben Ideen keinen Raum, um zu wachsen, oder sie verlaufen im Sand, weil es an Mitteln oder dem Willen zur Umsetzung fehlt. Deshalb ist der Austausch zwischen beiden Bereichen so wichtig.«

Innovationen in der Halbleitertechnologie haben direkten Einfluss auf den Erfolg des digitalen Wandels und das Erreichen von Klimazielen. Gerade die extrem leistungsstarken III/V-Halbleiter rücken dabei immer mehr in den Fokus. In den letzten Jahren kommen sie auch in alltäglichen Anwendungen zum Einsatz. Vermehrt werden zum Beispiel Transistoren auf Basis des Verbindungshalbleiters Galliumnitrid (GaN) anstelle des bislang dominanten Siliziums (Si) in handelsüblichen Ladegeräten für mobile Endgeräte verbaut, da GaN den Ladevorgang aufgrund seiner physikalischen Eigenschaften um ein Vielfaches effizienter macht und darüber hinaus auch deutlich robuster ist als Si. Diese Vorteile ermöglichen jeder Person einen nachhaltigeren Umgang mit wertvollen Ressourcen – und tragen so dazu bei, einem der zentralen politischen Gebote unserer Zeit zu folgen.