Nobelpreisträger Hiroshi Amano lädt Forschende des Fraunhofer IAF ein

Vortrag über Nitrid-Halbleiter an der Universität Nagoya

Große Ehre für drei Forschende des Fraunhofer IAF: Dr. Lutz Kirste, Dr. Stefano Leone und Isabel Streicher waren eingeladen, am 10. November an der Universität Nagoya einen Vortrag im Rahmen des CIRFE-Symposiums der Forschungsgruppe von Nobelpreisträger Prof. Dr. Hiroshi Amano zu halten. 

Im Fokus des »Growth and structural characterization of nitride semiconductors at Fraunhofer IAF« betitelten Vortrags standen zum einen die Forschungsarbeiten von Leone und Streicher über das Wachstum der innovativen Materialien (Al,Sc)N und (Al,Y)N für Transistoren mit hoher Elektronenbeweglichkeit (High-electron-mobility transistor, HEMT). Diese eignen sich besonders für Millimeterwellen-Anwendungen in extrem hohen Frequenzbereichen (30–300 GHz), um Kommunikationsverbindungen mit Datenraten bis 10 Gbit/s zu ermöglichen. Zum andern präsentierte Kirste seine neuesten Ergebnisse zur strukturellen Charakterisierung von Substraten aus GaN (Galliumnitrid), einem der wichtigsten Verbindungshalbleiter für leistungsstarke und widerstandsfähige Bauelemente in der Hochfrequenzelektronik und Leistungselektronik.

Dr. Lutz Kirste, Leiter Strukturanalyse am Fraunhofer IAF, mit Prof. Dr. Hiroshi Amano an der Universität Nagoya
© Lutz Kirste
Dr. Lutz Kirste (l.), Leiter Strukturanalyse am Fraunhofer IAF, mit Prof. Dr. Hiroshi Amano (r.) an der Universität Nagoya
Isabel Streicher und Dr. Stefano Leone vom Fraunhofer IAF mit Nobelpreisträger Prof. Dr. Hiroshi Amano (v. l. n. r.) an der Universität Nagoya
© Stefano Leone
Isabel Streicher und Dr. Stefano Leone vom Fraunhofer IAF mit Nobelpreisträger Prof. Dr. Hiroshi Amano (v. l. n. r.) an der Universität Nagoya
Teilnahmezertifikat des CIRFE Symposiums an der Universität Nagoya
© Isabel Streicher
Dr. Stefano Leone, Dr. Lutz Kirste und Isabel Streicher hielten auf Einladung von Prof. Dr. Hiroshi Amano einen Vortrag beim CIRFE Symposium an der Universität Nagoya.

Der Besuch an der Universität Nagoya fand im Vorfeld der 14. International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14) in Fukuoka statt. Neben Dr. Lutz Kirste, Dr. Stefano Leone und Isabel Streicher nehmen an dieser noch Dr. Rachid Driad, Akash Nair, Matthias Sinnwell und Patrik Straňák teil und repräsentieren das Fraunhofer IAF mit Vorträgen und Posterpräsentationen.

Prof. Dr. Hiroshi Amano erhielt 2014 den Physik-Nobelpreis für die Erfindung der blauen Leuchtdiode (LED) auf Basis von GaN, die ihm 1989 gemeinsam mit Isamu Akasaki gelang. Heute ist er Direktor des Center for Integrated Research of Future Electronics (CIRFE), einem Forschungszentrum des Institute of Materials and Systems Sustainability (IMaSS) der Universität Nagoya.

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