Laser World of Photonics 2025

Enabling-Technologien, Komponenten und Systeme für Produktion, Kommunikation, Sicherheit, Mobilität und Medizin

III-V-Optoelektronik entlang der Halbleiter-Wertschöpfungskette

Besuchen Sie uns auf der Laser World of Photonics in München vom 24. bis 27. Juni 2025.

An unserem Stand in Halle A3 (Stand 431) stellen wir Ihnen unsere Forschungs- und Entwicklungsleistungen im Bereich der Optoelektronik entlang der Halbleiter-Wertschöpfungskette vor.

Unsere Forschenden erläutern Ihnen gerne, was das Fraunhofer IAF von Simulation und Epitaxie über Prozesstechnologien und Charakterisierung bis hin zur Konstruktion von Bauelementen und Modulen für Partner aus Industrie und Forschung anbietet.

Unser Portfolio umfasst Leistungen rund um Photodetektoren und Halbleiterlaser für verschiedene Anwendungen in der Produktion, Kommunikation, Sicherheit, Mobilität und Medizin.

Forschungs- und Entwicklungsleistungen in der III-V-Optoelektronik

An unserem Stand in Halle A3 präsentieren wir Ihnen Materialien für und Module sowie Systeme auf Basis von III-V-Halbleiterlasern und -detektoren. Wir zeigen Ihnen Highlights aus unseren jüngsten Forschungs- und Entwicklungsaktivitäten entlang der Wertschöpfungskette für III-V-Optoelektronik und erläutern Ihnen gerne das große Anwendungspotenzial unserer Technologien. 

Sie erwarten folgende Exponate:

Prozessierter Wafer mit bunten Farbeffekten
© Fraunhofer IAF
Prozessierte Oberflächenwellenstrukturen auf einem AlScN-auf-Si-Wafer des Fraunhofer IAF

4''-Wafer

Das Fraunhofer IAF bietet individuelle Entwicklungs- und Fertigungsleistungen entlang der III-V-Halbleiterwertschöpfungskette an. Zum Portfolio in der Optoelektronik gehören die Epitaxie und Prozessierung von Verbindungshalbleiter-Heterostrukturen für u. a. Quantenkaskadenlaser, Scheibenlaser (VECSEL), Typ-II-Übergitterdetektoren oder Einzelphotonen-Lawinendioden (SPADs). Die ausgestellten 4‘‘-Wafer veranschaulichen die Fähigkeiten des Fraunhofer IAF.

Offenes Gehäuse mit vier Quantenkaskadenlasermodulen und weiteren Komponenten
© Fraunhofer IAF
Multikernsystem des Fraunhofer IAF mit vier teilautomatisiert gefertigten MOEMS-EC-QCL-Modulen

Multikernlasersystem mit vier Quantenkaskadenlasermodulen

Die einzelnen Quantenkaskadenlaser-(QCL-)Module hat das Fraunhofer IAF mit einem neu entwickelten automatisierten Aufbauverfahren für resonant durchstimmbare QCL-Quellen gefertigt. Das Verfahren ermöglicht eine industriegeeignete, weil günstigere, schnellere und flexiblere Fertigung der Laserquellen. Sie können beispielsweise in einem Vierkern-Modul miteinander kombiniert werden, um Spektralbereiche von bis zu 1000 Wellenzahlen im mittleren Infrarot und Messraten von 1 kHz zu erreichen. Dies erschließt neue Analytik- und Messaufgaben oder verbessert bestehende. Die Entwicklung erfolgte im Projekt AIRLAMet in Kooperation mit dem Fraunhofer IPMS, Sacher Lasertechnik und sentronics metrology.

Einmodiges Halbleiter-Scheibenlaser-Modul mit bis zu 2,4 W Ausgangsleistung für den Frequenzbereich zwischen 1,9 und 2,5 µm, entwickelt als Pumpquelle für Quantenfrequenzkonverter, © Fraunhofer IAF
© Fraunhofer IAF
Einmodiges Halbleiter-Scheibenlaser-Modul mit bis zu 2,4 W Ausgangsleistung für den Frequenzbereich zwischen 1,9 und 2,5 µm

Halbleiter-Scheibenlasermodul für die Quantenfrequenzkonversion

Das Fraunhofer IAF hat einmodige Scheibenlaser auf Basis von GaSb realisiert, die bei einer Leistung von bis zu 2,4 W mit hoher spektraler Genauigkeit den Frequenzbereich zwischen 1,9 und 2,5 µm abdecken. Sie wurden im Rahmen des Projekts HIFI als rauscharme Pumpquelle für Quantenfrequenzkonverter entwickelt. Quantenfrequenzkonversion soll es ermöglichen, das bestehende Glasfasernetz zu einem Quanteninternet auszubauen, indem die Wellenlänge von Photonen in den Telekombereich konvertiert wird.

Sensorkopf des Fraunhofer IAF auf Stativ
© Fraunhofer IAF
MIR-Sensorkopf des Fraunhofer IAF für die Qualitätssicherung in industriellen Anwendungen

Sensorkopf für MIR-Rückstreuspektroskopie in der Qualitätssicherung

Der Sensorkopf für die Infrarot-(IR-)Rückstreuspektroskopie verifiziert, detektiert und identifiziert zahlreiche Substanzen kontaktlos und zerstörungsfrei in Sekundenbruchteilen anhand ihres infraroten Fingerabdrucks und ermöglicht damit Qualitätssicherung in Produktionsumgebungen, die auf chemische Identifizierung bei hohen Messgeschwindigkeiten angewiesen sind – etwa im Pharmabereich. Das System greift auf die QCL-Technologie des Fraunhofer IAF zurück und enthält eine QCL-Doppelkernquelle.

Halbleiterkomponenten für optoelektronische Anwendungen
© Fraunhofer IAF
Solarblinde UV-C-AlGaN-Bildfeldmatrizen mit einer räumlichen Auflösung von 640 x 512 Bildpunkten

UV-C-Kamera

Die Kamera mit solarblinder UV-C-AlGaN-Bildfeldmatrix ist eine kompakte Lösung zur Detektion künstlicher UV-C-Signaturen ohne natürliche Hintergrundstrahlung. Aufgrund ihrer hohen Bandlückenenergie sowie einer exzellenten Materialqualität weisen die Photodetektoren des Fraunhofer IAF extrem geringe Dunkelstromsignale auf. Mit rauscharmen Ausleseschaltkreisen haben sie das Potenzial, Signale mit wenigen UV-C-Photonen pro Pixel innerhalb typischer Kameraintegrationszeiten von 20 ms nachzuweisen.

Detektorzeile in Kameramodul
© Fraunhofer IAF
InGaAsSb-Detektorzeile mit 256 Pixeln, entwickelt und gefertigt am Fraunhofer IAF, integriert in das eSWIR-Modul der bispektralen Kamera der DIAS Infrared GmbH

Bispektrales eSWIR-Modul für thermografisches Monitoring

Überhitzende Teile (»Hot Spots«) sind ein Risiko für die Verkehrssicherheit auf Straße wie Schiene. Thermografisches Monitoring kann Hot Spots frühzeitig erkennen, stellt aber hohe Anforderungen an das Messsystem. Gemeinsam haben das Fraunhofer IAF und DIAS Infrared eine bispektrale Kamera entwickelt, die bewegte Objekte bei hoher Geschwindigkeit berührungs- und lückenlos thermografisch und visuell überwacht. Die zugrundeliegende InGaAsSb-Detektorzeile für das erweiterte kurzwellige Infrarot (eSWIR) hat das Fraunhofer IAF entwickelt.

Angebote entlang unserer Wertschöpfungskette

Epitaxie

 

Wir erzeugen Epitaxieschichten nach Ihren Spezifikationen.

Prozesstechnologie

 

Wir bieten elektronische Multiprojekt-Wafer-Runs (MPW) und ganze Maskenprozessierungen sowohl mit Front- als auch Rückseitenprozessierung.

Charakterisierung

 

Wir verfügen über eine Reihe analytischer Verfahren zur Charakterisierung von Halbleiterstrukturen und Materialsystemen.

Messsysteme

 

Wir nutzen eine Vielzahl von Messsystemen zur Charakterisierung von integrierten Schaltungen und Hochfrequenz-Modulen.

Modulentwicklung und -fertigung

 

Wir entwickeln und fertigen anwendungsspezifische Module.

Applikationslabor Laser-Spektroskopie

 

In unserem Applikationslabor realisieren wir für Sie spektroskopische Messungen. 

Weitere Informationen

Wertschöpfungskette am Fraunhofer IAF

 

Wir bieten Forschungs- und Entwicklungsleistungen vom Schaltungsentwurf über Epitaxie bis hin zum Modulbau.

 

Optoelektronik am Fraunhofer IAF

 

Wir entwickeln technologische Innovationen im Bereich der Photodetektoren und Halbleiterlaser.