Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAFLeistung, Präzision, Effizienz: Forschung und Entwicklung für Hochfrequenzelektronik und Leistungselektronik
Am Fraunhofer IAF entwickeln Forschende Innovationen der Hochfrequenzelektronik und der Leistungselektronik entlang der III-V-Halbleiterwertschöpfungskette.
In der Hochfrequenzelektronik arbeiten Forschende auf Basis der Verbindungshalbleiter InGaAs und GaN an Frequenzbereichen bis 1 THz und realisieren performante wie effiziente Schaltungen, Bauelemente, Module und Sub-Systeme für Anwendungen wie den Mobilfunk der fünften und sechsten Generation (5G/6G), Radarsysteme oder Komponenten für die Satellitenkommunikation und hochpräzise Mikrowellenradiometer.
Im Bereich Leistungselektronik konzentriert sich das Fraunhofer IAF auf GaN-basierte Komponenten mit maximaler Leistung und Energieeffizienz für Elektromobilität, Klimatechnik und Informationstechnik – beispielsweise durch die Entwicklung neuartiger laterale und vertikaler 1200-V-Bauelemente.