Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAFLeistung, Präzision, Effizienz: Forschung und Entwicklung für Hochfrequenzelektronik und Leistungselektronik
Am Fraunhofer IAF entwickeln Forschende Innovationen der Hochfrequenzelektronik und der Leistungselektronik entlang der III-V-Halbleiterwertschöpfungskette.
In der Hochfrequenzelektronik arbeiten Forschende auf Basis der Verbindungshalbleiter InGaAs und GaN an Frequenzbereichen bis 1 THz und realisieren performante wie effiziente Schaltungen, Bauelemente, Module und Sub-Systeme für Anwendungen wie den Mobilfunk der fünften und sechsten Generation (5G/6G), Radarsysteme oder Komponenten für die Satellitenkommunikation sowie hochpräzise Mikrowellenradiometer.
Darüber hinaus bietet das Fraunhofer IAF extrem rauscharme mHEMT-Verstärker auf Basis des Verbindungshalbleiter InGaAs für den Einsatz unter kryogenen Bedingungen an – ideal für Anwendungen im Bereich Quantencomputing und Radioastronomie. Mit einer Gate-Länge von 50 nm und Grenzfrequenzen bis 1 THz ermöglichen diese Verstärker weltweit niedrigste Rauschzahlen bei vernachlässigbarer Erwärmung und bei extrem niedrigen Temperaturen (-270 °C)
Im Bereich Leistungselektronik konzentriert sich das Fraunhofer IAF auf GaN-basierte Komponenten mit maximaler Leistung und Energieeffizienz für Elektromobilität, Klimatechnik und Informationstechnik – beispielsweise durch die Entwicklung neuartiger laterale und vertikaler 1200-V-Bauelemente.