Ihr Partner für III/V-Verbindungshalbleiter. Wir bieten Epitaxie von Wafern, Entwicklung von Bauteilen, Schaltungen und Modulen bis hin zur Fertigung von Prototypen und Demonstratoren. Mittels Technologietransfer können wir Ihnen unser Technologie- und Prozess-Know-how zur Verfügung stellen.
Sensoren in Produktion und Fertigung müssen unempfindlich gegenüber Hitze, Staub, Rauch und Dampf sein. Optische, akustische und mechanische Sensoren sind hier ungeeignet. Das Fraunhofer IAF hat ein leistungsstarkes Millimeterwellen-Radarsystem für raue Umgebungen entwickelt, das im W-Band (75 – 110 GHz) arbeitet.
Quantenkaskadenlaser (QCL) zeigen eine breite spektrale Durchstimmbarkeit über hunderte Wellenzahlen bei gleichzeitig hoher spektraler Leistungsdichte. Am Fraunhofer IAF wurde ein Applikationslabor eingerichtet, um interessierten Kunden und Partnern einen Zugang zu neuartigen QCL-basierten Messverfahren zu ermöglichen.
Zur Reduktion von Verlusten bei der Energiewandlung werden neue Ansätze benötigt, um Energieressourcen nachhaltig zu nutzen. Leistungselektronik auf Galliumnitrid-Basis (GaN) hilft elektrische Energie effizienter zu nutzen. Am Fraunhofer IAF werden effiziente Leistungstransistoren und Schaltkreise entwickelt.
2018 war einiges los am Fraunhofer IAF. Wir haben eine Auswahl der schönsten Momente für Sie zusammengestellt und geben einen kleinen Vorgeschmack auf 2019.
Vom 19. – 20. März 2019 bietet das 44. Freiburg Infrarot-Kolloquium Experten der Infrarot-Technologie eine internationale Plattform. Zur Anmeldung gelangen Sie direkt unter: www.infrared-workshop.de.
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik
