Um die Position der europäischen Halbleiter- und Elektronikindustrie im globalen Wettbewerb zu stärken, haben elf Institute des Fraunhofer-Verbunds Mikroelektronik gemeinsam mit zwei Instituten der Leibniz-Gemeinschaft ein Konzept für eine standortübergreifende Forschungsfabrik für Mikro- und Nanoelektronik erarbeitet.
Das Fraunhofer IAF ist weltweit führend in der III/V-Halbleiterforschung. Wir beraten und unterstützen Sie in der Entwicklung elektronischer und optoelektronischer Bauelemente, Komponenten und Materialien auf Halbleiterbasis. Unsere Technologien werden in den Bereichen Sicherheit, Energie, Kommunikation, Gesundheit und Mobilität eingesetzt.
Sensoren in Produktion und Fertigung müssen unempfindlich gegenüber Hitze, Staub, Rauch und Dampf sein. Optische, akustische und mechanische Sensoren sind hier ungeeignet. Das Fraunhofer IAF hat ein leistungsstarkes Millimeterwellen-Radarsystem für raue Umgebungen entwickelt, das im W-Band (75 – 110 GHz) arbeitet.
Zur Reduktion von Verlusten bei der Energiewandlung werden neue Ansätze benötigt, um Energieressourcen nachhaltig zu nutzen. Leistungselektronik auf Galliumnitrid-Basis (GaN) hilft elektrische Energie effizienter zu nutzen. Am Fraunhofer IAF werden effiziente Leistungstransistoren und Schaltkreise entwickelt.
Quantenkaskadenlaser (QCL) zeigen eine breite spektrale Durchstimmbarkeit über hunderte Wellenzahlen bei gleichzeitig hoher spektraler Leistungsdichte. Am Fraunhofer IAF wurde ein Applikationslabor eingerichtet, um interessierten Kunden und Partnern einen Zugang zu neuartigen QCL-basierten Messverfahren zu ermöglichen.
Bei der Laser World of Photonics vom 26. – 29. Juni 2017 in München präsentiert das Fraunhofer IAF seine neuesten Entwicklungen zu Halbleiter-Laserchips und -modulen.
Die European Microwave Week in Nürnerg bietet vom 8. – 13. Oktober 2017 die Möglichkeit, die neuesten Entwicklungen der Mikrowellentechnologien zu diskutieren.
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik
