Das Fraunhofer IAF ist weltweit führend in der III/V-Halbleiterforschung. Wir beraten und unterstützen Sie in der Entwicklung elektronischer und optoelektronischer Bauelemente, Komponenten und Materialien auf Halbleiterbasis. Unsere Technologien werden in den Bereichen Sicherheit, Energie, Kommunikation, Gesundheit und Mobilität eingesetzt.
Sensoren in Produktion und Fertigung müssen unempfindlich gegenüber Hitze, Staub, Rauch und Dampf sein. Optische, akustische und mechanische Sensoren sind hier ungeeignet. Das Fraunhofer IAF hat ein leistungsstarkes Millimeterwellen-Radarsystem für raue Umgebungen entwickelt, das im W-Band (75 – 110 GHz) arbeitet.
Zur Reduktion von Verlusten bei der Energiewandlung werden neue Ansätze benötigt, um Energieressourcen nachhaltig zu nutzen. Leistungselektronik auf Galliumnitrid-Basis (GaN) hilft elektrische Energie effizienter zu nutzen. Am Fraunhofer IAF werden effiziente Leistungstransistoren und Schaltkreise entwickelt.
Wärmebildaufnahme des Fraunhofer IAF im langwelligen Infrarot: Die Szene wurde aufgenommen mit dem ersten europäischen Kamerademonstrator auf Basis von LWIR Typ-II Übergitter-Bauelementen mit Heteroübergang, welcher gemeinsam mit einem Industriepartner am Fraunhofer IAF realisiert wurde.
Quantenkaskadenlaser (QCL) zeigen eine breite spektrale Durchstimmbarkeit über hunderte Wellenzahlen bei gleichzeitig hoher spektraler Leistungsdichte. Am Fraunhofer IAF wurde ein Applikationslabor eingerichtet, um interessierten Kunden und Partnern einen Zugang zu neuartigen QCL-basierten Messverfahren zu ermöglichen.
Die European Microwave Week in Nürnberg bietet vom 8. – 13. Oktober 2017 die Möglichkeit, die neuesten Entwicklungen der Mikrowellentechnologien zu diskutieren.
Auf der productronica stellt das Fraunhofer IAF vom 14. - 17. November 2017 seine neuesten Technologien im Bereich der Hochfrequenz- und Leistungselektronik vor.
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik
