An unserem Stand in Halle A3 nehmen wir Sie mit auf eine Reise entlang der Halbleiter-Wertschöpfungskette, die wir am Fraunhofer IAF abbilden. Lassen Sie sich von unseren Expertinnen und Experten alle Stationen der Wertschöpfung an unserem Institut erklären oder informieren Sie sich gezielt über einzelne Angebote.
Sie erwarten folgende Stationen und Exponate:
- Simulation und Schaltungsdesign
- Präsentation: Institutseigenes Entwurfsportfolio für Integrierte Schaltkreise
- Epitaxie
- Präsentation: Materialentwicklung und -wachstum am Fraunhofer IAF
- Exponate: Bragg-Spiegel aus vielen dünnen Schichten GaAs und AlAs auf GaAs-Substrat
- Prozesstechnologie
- Präsentation: Prozesstechnologien am Fraunhofer IAF
- Exponate: Prozessierte InP-Wafer mit Strukturen für Quantenkaskadenlaser
- Charakterisierung
- Präsentation: Verschiedene Messverfahren und die dazugehörige Infrastruktur am Fraunhofer IAF
- Bauelemente
- Präsentation: Entwicklung und Fertigung von Bauelementen am Institut (SPADs und AlGaAs-Wellenleiter für das Telekom-Band, anwendungsspezifische Steuerungselektronik)
- Exponate: InGaAs-basierte Avalanche-Photodiode (APD) in einem TO-8-Gehäuse, AlGaAs-Wellenleiter als Einzelphotonenquelle, GaN-basierter Hochspannungstreibers zur Ansteuerung von Ringresonatoren (mehr zum Projekt »MIAME«)
- Module
- Präsentation: Optisch gepumpte Halbleiter-Scheibenlaser (Semiconductor Disk Lasers, SDLs) im Wellenlängenbereich von 2 bis 3 µm
- Exponat: Einzelfrequenz-SDL-Modul im Wellenlängenbereich von 2,0 bis 2,2 µm als leistungsstarke wie rauscharme Pumpquelle für Quantenfrequenzkonverter (mehr zum Projekt »HIFI«)
Hier finden Sie uns:
Ort: Messe München, Halle A3, Stand 441
Zeit: Dienstag, 27. Juni bis Freitag, 30. Juni 2023, jeweils von 9 bis 17 Uhr (Freitag bis 16 Uhr)
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF
