Multi-Project Wafer Runs

Wafer Runs für Transistoren, Integrierte Schaltungen (ICs) sowie elektronische und optoelektronische Bauelemente

 

Auf der Basis seiner epitaktischen und technologischen Möglichkeiten bietet das Fraunhofer IAF Wafer Runs, ganze Maskenprozessierungen und die Realisierung elektronischer und optoelektronischer Bauelemente für externe Kunden an. Sowohl Front- als auch Rückseitenprozessierung ist möglich. Die Runs werden regelmäßig im Rhythmus von vier bis sechs Monaten angeboten.

Das Fraunhofer IAF verfügt über einen hochmodernen Reinraum für die Prozessierung von aktuellsten III-V-Halbleiter-Bauelementen. Zu den Fähigkeiten zählen E-Beam-, optische Stepper- und Laserlithografie sowie Beschichtungs- und Ätzverfahren verschiedener Dielektrika und Metalle. Um die Prozesskapazitäten zu erhalten und auszubauen, erneuert das Fraunhofer IAF kontinuierlich sein Equipment.

Technologie-Angebot Hochfrequenz- und Leistungselektronik

InGaAs-HEMT-Technologien

  • 50-35-20 nm metamorphe HEMTs (mHEMTs)
  • mHEMT-on-Insulator (in Entwicklung)
  • Entwurf, Erstellung, Charakterisierung und Aufbau von monolithisch-integrierten Mikrowellenschaltungen (MMICs) bis zu 700 GHz
  • Rauschzahlverhalten auf dem Stand der Technik
  • Extrem hohe Bandbreiten
  • Multifunktionale MMICs
  • On-Chip-Breitbandantennen
  • Leistungserhöhung durch kryogenen Betrieb

 

GaN-on-SiC-Technologien

  • Erstellung von HEMT-Bauelementen mit Gate-Längen von 0,5 µm bis hinab zu 50 nm
  • Höchste Ausgangsleistung
  • Frequenzen bis hinauf zu 200 GHz
  • Höchster Wirkungsgrad bei der Leistungsumwandlung
  • Geprüfte Zuverlässigkeit und Robustheit
  • Integrierte passive Bauelemente

 

GaN-on-Si-Technologien

  • GaN-basierte Leistungsschaltungen
  • Halbbrücken und Gate-Treiber
  • On-Chip-Sensoren

 

Prozessierter Gan/SiC-Wafer, vorderseitenprozessiert
© Fraunhofer IAF
Prozessierter Gan/SiC-Wafer, vorderseitenprozessiert
Leistungsverstärker (GaN – 100 nm).
© Fraunhofer IAF
Leistungsverstärker (GaN – 100 nm)
Rauscharmer Verstärker (mHEMT – 50 nm).
© Fraunhofer IAF
Rauscharmer Verstärker (mHEMT – 50 nm) niedrigster Leistung

Technologie-Angebot Optoelektronik

GaAs- und InP-basierte Laser

  • Double-Trench- oder Buried-Het-Prozessierung:
    • Breitstreifenlaser
    • Rippenwellenleiterlaser
    • Trapezlaser und -Verstärker
  • Individuelle Oberflächenbeschichtung (NIR/IR) inklsuive Charakterisierung

 

IR- und UV-Photodetektoren

  • Mono- und bispektrale Detektoren von MWIR (3–5 µm) bis LWIR (8–12 µm) mit InAs/GaSb oder InAs/InAsSb-T2SL
  • Einzelphotonen-Lawinendioden (SPADs) auf Basis von InGaAs/InP
  • UV-C-Detektormatritzen im solarblinden Bereich unter 280 nm mit AlGaN

 

Planarwafer des Fraunhofer IAF mit Detektoren für das kurzwellige Infrarot
© Fraunhofer IAF
3-Zoll-InGaAs/InP-Wafer mit APD-Arrays und einzelnen Bauelementen für eine Wellenlänge von 1550 nm
Leistungsverstärker (GaN – 100 nm).
© Fraunhofer IAF
UV-Detektoren auf Saphir-Substrat
Wafer des Fraunhofer IAF mit Laserprozess
© Fraunhofer IAF
Laser auf Silizium-Substrat