Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF

Multi-Project Wafer Runs

Multi-Project Wafer Runs und dedizierte Wafer Runs für Transistoren und Integrierte Schaltungen (ICs)

 

Auf der Basis seiner epitaktischen und technologischen Möglichkeiten bietet das Fraunhofer IAF elektronische Multiprojekt Wafer Runs (MPW) und ganze Maskenprozessierungen für externe Kunden an. Sowohl Front- als auch Rückseitenprozessierung ist möglich. Die Runs werden regelmäßig im Rhythmus von etwa vier Monaten angeboten. Weiter Informationen zu den genannten Run-Zeiten geben wir gerne.

Die IC-Entwürfe werden dabei auf Vier-Zoll-Wafern prozessiert inklusive aller Prozessschritte, des vollen Rückseitenprozesses, der Messtechnik, der Inspektion und Vereinzelung. Die Entwurfsarbeiten können auch am Fraunhofer IAF beauftragt werden.

Der Zugang wird nach Abschluss eines NDAs und der Prüfung der Verfügbarkeit und Absprache der zu entwerfenden ICs durch Prozess Design Kits (PDKs) in der Keysight Entwurfsumgebung ADS unterstützt.

Wir bieten die folgenden Technologien:

Metamorpher mHEMT IC Prozess M40

  • GATELÄNGE: 50 nm
  • FEATURE: InAlAs/InGaAs Grounded Coplanar IC Prozess auf GaAs Substraten mit fT = 375 GHz
     

GaN50 HEMT

  • GATELÄNGE: 500 nm
  • FEATURE: AlGaN/GaN auf s.i. SiC HEMT Powerbar und IC Prozess für Frequenzen bis bis ca. 6 GHz in Mikrostreifenleitungstechnologie
     

GaN25 HEMT 

  • GATELÄNGE: 250 nm
  • FEATURE: AlGaN/GaN auf s.i. SiC HEMT Powerbar und IC Prozess für Frequenzen bis ca. 20 GHz in Mikrostreifenleitungstechnologie
     

GaN10 HEMT

  • GATELÄNGE: 100 nm
  • FEATURE: AlGaN/GaN HEMT IC Prozess in Mikrostreifenleitungs- und Grounded Coplanar Waveguidetechnologie für Frequenzen bis 94 GHz
Prozessierter Gan/SiC Wafer, Vorderseitenprozessiert.
© Fraunhofer IAF
Prozessierter Gan/SiC Wafer, Vorderseitenprozessiert.
Leistungsverstärker (GaN – 100 nm).
© Fraunhofer IAF
Leistungsverstärker (GaN – 100 nm)
Rauscharmer Verstärker (mHEMT – 50 nm).
© Fraunhofer IAF
Rauscharme Verstärker (mHEMT - 50 nm niedrigster Leistung)