Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAFForschung und Entwicklung in der Elektronik
Forschende des Fraunhofer IAF entwickeln Materialien, Bauelemente, Module und (Sub-)Systeme für ein breites Spektrum von Anwendungen in der Hochfrequenz- und Leistungselektronik.
Im Bereich der Hochfrequenzelektronik arbeiten die Forschenden des Fraunhofer IAF an metamorpher Schaltungstechnologie auf Basis von InGaAs-mHEMTs mit Gate-Längen von 50 nm, 35 nm oder 20 nm. Damit lassen sich extrem rauscharme und breitbandige Module bei Raumtemperatur, aber auch unter kryogenen Bedingungen (etwa für Quantencomputing), mit Grenzfrequenzen von bis zu 1 THz realisieren.
In der Leistungselektronik konzentriert sich das Fraunhofer IAF auf GaN-basierte Bauelemente, Schaltungen und Module für höchste Energieeffizienz und maximale Spannung, die in der Elektromobilität, der Klimatechnik und der Informationstechnologie zum Einsatz kommen. Darüber hinaus arbeiten die Forschenden des Fraunhofer IAF an neuartigen lateralen und vertikalen 1200-V-Bauelementen sowie an der monolithischen und heterogenen Integration.
