Fraunhofer IAF beim International Microwave Symposion 2025

Das Fraunhofer IAF ist beim diesjährigen International Microwave Symposion (IMS) der IEEE Microwave Theory and Technology Society (MTT-S) erneut stark vertreten. Die weltweit führende Konferenz für Hochfrequenzelektronik findet vom 15. bis 20. Juni im Moscone Center in San Francisco (Kalifornien, USA) statt und bietet vielfältige Möglichkeiten zum fachlichen Austausch und zur persönlichen Vernetzung. 

Insgesamt präsentieren acht Forschende des Fraunhofer IAF neueste Ergebnisse ihrer Forschungs- und Entwicklungsarbeit in Vorträgen, Poster-Sessions und Workshops. Beteiligt ist das Fraunhofer IAF insgesamt an 15 Präsentationen.

Die Präsentationen kreisen thematisch um hochperformante wie effiziente Bauelemente, Schaltungen und Module für innovative hochfrequenzelektronische Anwendungen, darunter beispielsweise Mobilfunk- und Satellitenkommunikation, kryogene Messtechnik oder industrietaugliche Radarlösungen.

Ein besonderes Highlight bildet in diesem Jahr der von Dr. Fabian Thome (Fraunhofer IAF) gemeinsam mit Dr. Mehmet Ogut (NASA Jet Propulsion Laboratory) organisierte Workshop »Advanced Low-Noise Measurement Techniques for Cutting-Edge Room-Temperature and Cryogenic Applications« (WMB), der am Montag, den 16. Juni 2025, von 8 bis 11:50 Uhr stattfindet.

Überblick aller Präsentationen bei der IMS 2025 mit Beteiligung des Fraunhofer IAF

Paper-Präsentationen

• Tu3D-2 – Thome, Fabian et al.: A 4-420-GHz Distributed Amplifier MMIC in a 20-nm InGaAs-on-Si HEMT Technology With 11±2-dB Gain
• Tu4D-1 – Konstantin Kuliabin et al.: Ultrawideband Vector Modulators for Next-Gen Wireless Networks in the 200–480GHz Range
• We1G-4 – Patrick Umbach et al.: Monolithic Implementation and Performance Comparison of Three Single Balanced Architectures for D-Band HEMT Mixers
• We3B-4 – Thomas Zieciak et al.: A D-Band Front-End T/R MMIC in a 70-nm GaN HEMT Technology
• We3H-5 – Safari Mugisho, Moïse et al.: A Ka-Band GaN Doherty Power Amplifier with High Efficiency Over a Fractional Bandwidth of 20.4%
• Th1F-1 – Cimbili, Bharath Kumar et al.: A High-Efficiency E-Band GaN Doherty Power Amplifier with 35.7dBm Output Power and 22.8%/16.8% Peak/6-dB Back-Off Efficiency
• Th1F-3 – Cimbili, Bharath Kumar Cimbili et al.: A Compact Wideband Low-Loss On-Chip Power Combiner for High-Efficiency GaN mm-Wave Power Amplifiers
• Th2F-3 – Gashi, Bersant et al.: 300GHz 8×1 Active Phased Array MMIC with On-Chip Power Amplifiers, Vector Modulators, and Antennas
• Th3D-2 – Patrick Umbach et al.: Integrated Solution for Linear and Non-Linear Single-Touchdown On-Wafer Characterization of D-Band Mixers

Poster-Präsentationen

• IF1-10 – Sigle, Eric et al.: A Full V-Band High-Output Power Frequency Doubler with High Fourth Harmonic Suppression in a InGaAs mHEMT Technology
• IF1-46 – Heinz, Felix et al.: Extended D-Band Low-Noise-Amplifier MMICs Based on a 50-nm Metamorphic HEMT Technology
• Umbach, Patrick et al. – Nonlinear Millimeter Wave Power Amplifier Analysis with Hot S-Parameters [im Rahmen der ARFTG]

Präsentationen im Rahmen von Workshops

• WSG-6 – Thome, Fabian et al.: InGaAs LNAs for SATCOM
• WMB-3 – Heinz, Felix et al.: Cryogenic On-Wafer Noise Measurements Using a Cold-Attenuator Method
• WMB-4 – Patrick Pütz et al.: Measurement and Qualification of RF Performance Characteristics of Cryogenic Low-Noise Amplifiers in the Context of Small Series Production

Über das IMS 2025

Das diesjährige International Microwave Symposion (IMS) der IEEE Microwave Theory and Technology Society (MTT-S) findet vom 15. bis 20. Juni 2025 in San Francisco, Kalifornien, statt. Es bildet gemeinsam mit dem IEEE Radio Frequency Integrated Circuits Symposium (RFIC) und der Automatic Radio Frequency Techniques Group (ARFTG) Conference, die parallel abgehalten werden, eine einzigartige Plattform für Wissensvermittlung, Networking und Zusammenarbeit. Das IMS 2025 präsentiert innovative und disruptive Technologien in verschiedenen Themenbereichen, darunter Systeme und Anwendungen, Luft- und Raumfahrt sowie Sicherheit, Chips für kritische Infrastrukturen sowie neue Technologien, Innovationen und Unternehmertum.