Portfolio in der GaN-Hochfrequenzelektronik

Substrate

• Siliziumcarbid (SiC)
• Aluminiumnitrid (AlN)
• Galliumnitrid (GaN)

Epitaxie

• Galliumnitrid (GaN)
• Aluminiumgalliumnitrid (AlGaN)

Prozessmodule

• Ohm-Kontakte
• Gate-Module
• Prozessketten nach Vorgabe
• Gate-Definition mittels Elektronenstrahllithographie
• Wafer-Rückseitenprozessierung

Prozesslinien

• GaN07
  70 nm, bis 170 Ghz, MMIC (in Entwicklung)
• GaN10
  100 nm, > 100 GHz, MMIC, Leistungsdichte 2 W/mm, N_F = 2 dB bei 80 GHz
• GaN15
  150 nm, bis 75 GHz, MMIC, Leistungsdichte 4.5 W/mm, N_Fmin = 1.5 dB bei 40 GHz
• GaN50X
  500 nm, 1–10 GHz, Leistungstransistor, 100 V_DS, Leistungsdichte bis 15 W/mm, PAE > 50 %

• Simulationsbasiertes Design und Realisierung von HEMT-MMICs vom L-Band bis zum D-Band
  • Eigene Herstellung von Maskensätzen
  • Integrierte passive Bauelemente 
• Entwicklung und Fertigung von Demonstratoren, Pilotlinien und Kleinserien
• Bereitstellung von Multi-Project-Wafer-Runs

Modulaufbau

• Leistungsverstärker (PA) und Hochleistungsverstärker (HPA)
• Rauscharme Verstärker (LNA)
• Frontend-Module
• PCB-Module
• Hohlleitermodule
• Hybrid-Module
• Split-Block-Module

• Leistungsmessung mit aktivem Loadpull bis 170 GHz
• Zuverlässigkeitsmessungen: On-Wafer und gehäust
• S-Parameter bis 1 THz
• S-Parameter und Leistungsmessung in geschützter Vorrichtung (für 100-V-Bauelemente)
• Pulsed-IV zur Trapping-Charakterisierung