Forschungsfabrik Mikroelektronik Deutschland

Um die Position der europäischen Halbleiter- und Elektronikindustrie im globalen Wettbewerb zu stärken, organisieren sich elf Institute des Fraunhofer-Verbunds Mikroelektronik sowie das Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik und das Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik in einer standortübergreifenden Form. Die neue Organisation agiert ab dem 6. April 2017 als »Forschungsfabrik Mikroelektronik Deutschland«.

Das für die Forschungsfabrik von Fraunhofer und Leibniz gemeinsam entwickelte Konzept sieht vor, die technologischen Fähigkeiten in einem gemeinsamen Technologiepool zusammenzuführen, Ausstattungslücken abgestimmt zu schließen und die wichtigen Laborlinien für Mikroelektronik-Technologien an die technische Entwicklung anzupassen. Für die Modernisierung und Ergänzung ihrer Anlagen und Geräte erhalten die 13 beteiligten Forschungseinrichtungen insgesamt rund 350 Millionen Euro von dem Bundesministerium für Bildung und Forschung.

Um die zukunftsrelevanten Forschungsthemen möglichst effizient und zeitnah voranzubringen ist die Forschungsfabrik Mikroelektronik Deutschland in vier Technologieparks organisiert. Das Fraunhofer IAF koordiniert den Technologiepark »Verbindungshalbleiter«. Um hier die nötigen Fähigkeiten weiter auf- und auszubauen, werden am Fraunhofer IAF 16 Mio. € in neue Anlagen für Epitaxie, Prozessierung, Aufbau- und Verbindungstechnik sowie Messtechnik investiert.

 

 

Verbindungshalbleiter und Sondersubstrate

 

 

Die besonderen Eigenschaften der Verbindungshalbleiter erlauben es Leading-edge-Bauelemente und Schaltungen für Frequenzen bis zu 800 GHz, Leistungstransistoren auf Basis von Wide-Bandgap-Halbleitern sowie optoelektronische Bauelemente zu realisieren.

Verbindungshalbleiter sind –  von Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid auf Silizium (GaN-auf-Si) abgesehen – im Hinblick auf Waferdurchmesser und Prozessführung nicht kompatibel mit den Silizium-basierten Technologien. Eine wichtige Rolle des Technologieparks »Verbindungshalbleiter und Sondersubstrate« wird daher die Bereitstellung von III-V-Wafern und -Chips für die Heterointegration mit der Silizium-Elektronik sein. Damit wird das Potenzial auf Verbindungshalbleiter basierender Bauelemente und Schaltungen für Kunden nutzbar gemacht.

Des Weiteren ist dieser Technologiepark so aufgestellt, dass Sondersubstrate wie SiC und Aluminiumnitrid (AlN) für die nächste Generation von Leistungsbauelementen weiterentwickelt werden. Auch neue Entwicklungen wie z.B. eine auf dem Halbleiter Galliumoxid (GaO) oder Diamant basierende Leistungselektronik können zu einem späteren Zeitpunkt aufgegriffen werden.

Aktuelles

 

Regionaler Auftakt für die »Forschungsfabrik Mikroelektronik Deutschland«  am Fraunhofer IAF

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