Pressemitteilungen

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  • Neuartige kompakte und vernetze Systeme ermöglichen mittelständischen Unternehmen den Zugang zu hocheffizienter und erschwinglicher Hochleistungstechnologie / 2017

    Hochleistung durch Heterointegration

    Presseinformation / 8.11.2017

    Bei der Heterointegration werden Komponenten aus unterschiedlichen Halbleitertechnologien »monolithisch« in einem Chip eingebettet, um mehr Funktionalität und eine verbesserte Leistung zu erzielen. Aufbauend auf dem Konzept der Heterointegration entwickeln Forscher des Fraunhofer IAF zusammen mit Projektpartnern Integrationsschemata für innovative Elektroniksysteme. Das IAF präsentiert seine Hochleistungs-Komponenten für die Hochfrequenz- und Leistungselektronik der nächsten Generation auf der Messe »Productronica« vom 14. bis 17. November 2017.

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  • Welchen Einfluss hat das LED-Licht auf unsere innere Uhr? / 2017

    Im Takt des Lichts

    Presseinformation / 25.10.2017

    LED GaN-Treiber, LE-Modul

    Licht hat einen enormen Einfluss auf unser Wohlbefinden und unseren Tag-Nacht-Rhythmus. Ob zum Synchronisieren unserer inneren Uhr oder zum Einschätzen von Gefahrensituationen – das Licht hat seit Urzeiten Auswirkungen auf unser Handeln und wird seitdem auch von uns Menschen erforscht. Moderne Arbeitsumgebungen entwerfen ganze Lichtkonzepte um unseren inneren Takt herum. Seit der Entwicklung der weißen LED ist die effiziente Leuchtdiode fest im Forschungskanon des Fraunhofer IAF verwurzelt. Bei dem aktuellen Forschungsprojekt SusLight befassen sich Experten unter anderem damit, wie unterschiedliche Farbwerte des LED-Lichts auf Betrachter wirken.

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  • Regionaler Auftakt für die »Forschungsfabrik Mikroelektronik Deutschland« am Fraunhofer IAF / 2017

    Investitionen von 16 Mio. € für neue Forschungs- und Technologieangebote im Bereich Mikroelektronik

    Presseinformation / 19.7.2017

    Reinhold Friedrich vom Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF) mit den kommissarischen Institutsleitern Prof. Joachim Wagner und Dr. Martin Walther bei der Übergabe der Förderurkunde »Forschungsfabrik Mikroelektronik Deutschland«.
    © Foto Fraunhofer IAF

    Um die Position der europäischen Halbleiter- und Elektronikindustrie im globalen Wettbewerb zu stärken, entsteht mit elf Fraunhofer-Instituten des Fraunhofer-Verbunds Mikroelektronik und zwei Instituten der Leibniz-Gemeinschaft die standortübergreifende »Forschungsfabrik Mikroelektronik Deutschland« (FMD). Sie wird vom Bundesministerium für Bildung und Forschung mit insgesamt 350 Millionen Euro unterstützt. Am 18. Juli feierte das Fraunhofer IAF den Auftakt für die FMD in Baden-Württemberg.

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  • Pilotlinie für maßgeschneiderte Spektroskopie-Lösungen / 2017

    MIRPHAB: Sensor-Boutique für Early Adopter

    Forschung kompakt / 1.6.2017

    bestehend aus Quantenkaskadenlaserchip und MOEMS Gitterscanner.
    © Foto Fraunhofer IAF

    Jede chemische Substanz absorbiert einen ganz individuellen Anteil infraroten Lichts. Wie ein menschlicher Fingerabdruck kann diese Absorption mit optischen Verfahren zum Identifizieren von Stoffen genutzt werden. Solche Verfahren finden beispielsweise in der chemischen Industrie, aber auch im Gesundheits-Bereich oder der Kriminalistik Verwendung. Plant ein Unternehmen ein neues Vorhaben, benötigt es dafür oft individuell zugeschnittene Sensorlösungen. Auf der Suche nach dem passenden System erhalten sie nun Unterstützung durch die EU-geförderte Pilotlinie MIRPHAB (Mid InfraRed PHotonics devices fABrication for chemical sensing and spectroscopic applications) für den Aufbau von Sensorik und Messtechnik im mittleren Infrarot (MIR), an der gleich drei Fraunhofer-Institute beteiligt sind.

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  • Weltweit erste monolithisch integrierte GaN-Halbbrücke für Netzspannungen / 2017

    Effiziente und kompakte Spannungswandler für die Elektromobilität

    Pressemitteilung / 3.5.2017

    Die Elektromobilität führt zu einem steigenden Bedarf an effizienten und kompakten Spannungswandlern.
    © Foto Petair – Fotolia.com

    Das Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF hat die weltweit erste Halbbrückenschaltung der wichtigen 600-Volt-Klasse entwickelt, bei der alle elektronischen Komponenten »monolithisch« auf einem Chip eingebettet sind. Monolithisch integrierte Halbbrücken sind Schlüsselbausteine für kompakte Spannungswandler und ermöglichen einen großen Effizienzgewinn in der Leistungselektronik. Basis hierfür ist der Einsatz des Halbleitermaterials Galliumnitrid (GaN).

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  • Mikrowellenverstärker verbessern die Wettervorhersage / 2017

    Hochempfindliche Spürnase im All

    Pressemitteilung / 2.5.2017

    Verstärkermodul: Die rauscharmen, hochempfindlichen Mikrowellen-Verstärker des Fraunhofer IAF können bereits Signale von wenigen Nanowatt wahrnehmen. Sie basieren auf dem Halbleitermaterial Indium-Gallium-Arsenid.
    © Foto Fraunhofer IAF

    Die Europäische Raumfahrtagentur ESA wird in den kommenden Jahren eine Reihe neuer Wettersatelliten ins All schicken, die wichtige meteorologische Messgrößen wie Niederschlag, Wasserdampf oder Temperatur besser denn je messen können. Herz dieser Messgeräte sind extrem empfindliche Mikrowellenverstärker, die am Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF entwickelt wurden. Diese können auch sehr schwache Signale aus der Umwelt wahrnehmen, die für genauere Wettervorhersagen wichtig sind.

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  • Nach der Übergabe der Bewilligungsbescheide des Bundesministeriums für Bildung und Forschung; v.l.n.r.: Prof. Matthias Kleiner, Präsident der Leibniz-Gemeinschaft, Prof. Bernd Tillack, Institutsleiter des Leibniz-Instituts für innovative Mikroelektronik (IHP), Dr. Reinhard Ploss, Vorstandsvorsitzender der Infineon AG, Prof. Johanna Wanka, Ministerin für Bildung und Forschung, Prof. Reimund Neugebauer, Präsident der Fraunhofer-Gesellschaft, Prof. Hubert Lakner, Vorsitzender des Fraunhofer-Verbunds Mikroelektronik, Prof. Günther Tränkle, Institutsleiter des Ferdinand-Braun-Instituts, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik (FBH).
    © Foto Fraunhofer Mikroelektronik /A. Grützner

    Um die Position der europäischen Halbleiter- und Elektronikindustrie im globa-len Wettbewerb zu stärken, haben elf Institute des Fraunhofer-Verbunds Mik-roelektronik gemeinsam mit zwei Instituten der Leibniz-Gemeinschaft ein Konzept für eine standortübergreifende Forschungsfabrik für Mikro- und Nanoelektronik erarbeitet. Das Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF) unterstützt die dazu nötigen Investitionen. Die Bundesforschungsministerin Prof. Dr. Johanna Wanka übergab am 6. April 2017 die Bewilligungsbescheide – 280 Millionen Euro für Fraunhofer und 70 Millionen Euro für Leibniz.

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  • Neuer Materialscanner prüft Rotorblätter auf Defekte / 2017

    Radartechnologie für effizientere Windkraftanlagen

    Pressemitteilung / 6.4.2017

    Mit dem neuartigen Radarscanner des Fraunhofer IAF können Defekte in der Materialzusammensetzung der Windradflügel wesentlich genauer als bisher aufgespürt werden. Das spart Produktions- und Betriebskosten.
    © Foto Tim Siegert – Fotolia.com

    Der Anteil der Windenergie im Strommix steigt weltweit stetig an und mit ihr der Bedarf an effizienten und qualitativ hochwertigen Windkraftanlagen »Made in Germany«. Herzstück des Windrads sind die Rotorblätter, deren Produktion und Wartung strenge Prüfverfahren erfordert. Mit dem neuartigen Radarscanner des Fraunhofer-Instituts für Angewandte Festkörperphysik IAF werden Defekte in der Materialzusammensetzung der Windradflügel wesentlich genauer als bisher aufgespürt und in Querschnittsansicht visualisiert. Das spart Produktions- und Betriebskosten.

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  • Straßenverkehr
    © Foto OSRAM Licht AG

    Ein deutscher Forschungsverbund mit namhaften Mitgliedern aus Industrie und Forschung hat die Grundlagen für einen intelligenten LED-Fahrzeugscheinwerfer mit hoher Auflösung entwickelt, der so genanntes adaptives Fahrlicht in eine neue Dimension bringt. Das Demonstrationsmodell wurde vom Gesamtprojektleiter Osram gemeinsam mit den Projektpartnern Daimler, Fraunhofer, Hella und Infineon entwickelt.

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  • © Foto Fraunhofer IAF

    Über 200 führende Experten aus Wissenschaft, Wirtschaft und Politik diskutierten vom 13. bis 14. September 2016 in Berlin auf der internationalen Konferenz für Sicherheitsforschung »Future Security« über Themen wie innovative Radarsensorik für sicheres autonomes Fahren, Schutzmechanismen gegen den Missbrauch ziviler Drohnen und Sicherheitstechnik für effizienten Grenzschutz. Sie sprachen sich für mehr Regelungen zum Schutz gegen unbemannte Flugsysteme sowie eine verstärkte Vernetzung von Radar- und Softwarespezialisten für das selbstfahrende Auto aus.

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