Module und Integrierte Schaltungen

Module und Integrierte Schaltungen

Integrierte Schaltungen und Module bis zu 850 GHz

Das Fraunhofer IAF ist Weltspitze in der Entwicklung von Hochfrequenzmodulen und integrierten Schaltungen. Wir bieten Verstärker mit extrem niedrigem Rauschen, hoher Verstärkung und niedrigem Stromverbrauch. Metamorphe HEMT-Verstärker setzen neue Maßstäbe: Wir arbeiten an Bauteilen mit einer Rauschzahl von 4,8 dB bei 243 GHz sowie an Verstärkern mit einer Betriebsfrequenz bis 600 GHz.

Darüber hinaus ist am Fraunhofer IAF der Bau funktionaler MMICs, wie etwa Single-Chip-Radar und Transceiver-Schaltungen, möglich. Für den Einsatz in Radarsystemen, drahtlosen Anwendungen und Datenverbindungen werden GaN-HEMTs und ICs in Leistungsverstärkern für Frequenzen zwischen 1 GHz und 100 GHz verwendet. Wir entwickeln gehäuste GaN Transistoren für den Einsatz in den Bereichen Radar und mobile Kommunikation, mit Effizienzraten von mehr als 80 Prozent, für Frequenzen bis 3 GHz und ausgestattet mit einer typischen Ausgangsleistung von 100 W.

Unsere Komponenten können in einer Vielzahl von Anwendungen eingesetzt werden:

  • Aktive und passive Bildgebungssysteme
  • Phased-Array-Radar
  • Millimeterwellensensoren
  • Kabellose Kommunikation
  • Weltraum- und Erdbeobachtung
  • Breitband- und Weltraumkommunikation
© Sebastian Krausse

W-Band Modul
© Fraunhofer IAF

W-Band Modul

© Fraunhofer IAF

Kostengünstige, kompakte elektro-optische Basisbandschnittstellen und Funkmodule sind eine der wichtigsten Herausforderungen von drahtlosen THz-Verbindungen für die nächste Mobilfunkgeneration nach 5G.