Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF
Das Projekt ENSPECT leistet einen wichtigen Beitrag zur Entwicklung strahlungsresilienter Galliumnitrid-(GaN-)Technologien, die insbesondere für anspruchsvolle Anwendungen in der Satelliten- und Raumfahrttechnik von hoher Bedeutung sind.
Ziel des Projekts ist die Untersuchung und Optimierung der Strahlungsfestigkeit von GaN-Technologien für den Satelliteneinsatz. Es sollen robuste, strahlungsharte GaN-Leistungstransistoren und hochintegrierte Schaltungen für einen 100-W-DC/DC-Wandler auf dem Technologiereifegrad 5 (TRL5) entwickelt werden. Dabei sollen Volumen und Gewicht reduziert sowie Effizienz und Zuverlässigkeit verbessert werden.
Die Leitanwendung des Projekts bildet eine DC-Stromversorgungseinheit für Satellitenanwendungen. Diese umfasst mehrere DC/DC-Wandler, ergänzt durch zusätzliche periphere Funktionen. Im Fokus steht dabei der Einsatz von GaN-Leistungshalbleitern in Konvertern mit einer Bus-Spannung von 100 V. Daraus ergibt sich die Anforderung, dass die eingesetzten GaN-Bauelemente über Sperrspannungen von mindesten 150 V verfügen müssen.