EU-Forschungsprojekt »UltimateGaN«:

Energiesparchips aus neuem Material als Turbo für erneuerbare Energie, Elektromobilität und CO2-Einsparung.

Ein Turbo für erneuerbare Energie, Elektromobilität und CO2-Einsparung

EU-Forschungsprojekt »UltimateGaN«

Der weltweite Energiebedarf steigt – immer mehr Anwendungen des täglichen Lebens werden digitalisiert und elektrische Fahrzeuge drängen verstärkt in den Massenmarkt. Energiesparchips aus neuen Materialien wie Galliumnitrid spielen eine entscheidende Rolle, den Strom weitaus effizienter zu wandeln als bisher. Dadurch spart man Energie und minimiert den CO2-Fußabdruck.

 

Unter der Leitung von Infineon Austria fiel am 13. Mai 2019 der Startschuss für das europäische Forschungsprojekt UltimateGaN (Research for GaN technologies, devices and applications to address the challenges of the futureGaN roadmap).

26 Partner aus neun Ländern forschen in den kommenden drei Jahren an der nächsten Energiesparchip-Generation basierend auf dem neuen Halbleitermaterial Galliumnitrid (GaN). Ziel ist es, diese Leistungshalbleiter zu global wettbewerbsfähigen Kosten für eine Vielzahl von Anwendungen bereitzustellen. Damit leistet das Projekt einen wichtigen Beitrag zu mehr Energieeffizienz und zur CO2-Reduktion. Mit einem Volumen von 48 Millionen Euro zählt UltimateGaN zu einem der größten europäischen Forschungsprojekte.

»GaN auf Si« am Fraunhofer IAF

Das Fraunhofer IAF beteiligt sich mit seinem Expertenwissen gezielt an der Entwicklung einer lateralen »GaN auf Si« Technologie bis zu einer Frequenz von 4.5 und 28 GHz. Dies beinhaltet die Bauteil-Konzeptionierung mithilfe von Simulationen, innovative Epitaxie- und Technologie-Experimente, umfangreiche Zuverlässigkeitsuntersuchung sowie die Charakterisierung und Modellierung der Transistoren. Die extrahierten Modelle kommen beim Entwurf eines integrierten 28 GHz Leistungsverstärkers für 5G-Anwendungen zum Einsatz.

Weiterführende Informationen

Das Projekt

Ultimate GaN

 

Mehr Details finden Sie auf unserem Projektsetckbrief zu Ultimate GaN.

Fraunhofer IAF

Elektronische Schaltungen

Am Fraunhofer IAF entwickeln wir Transistoren, monolithisch integrierte Schaltungen (ICs) und Module für ein breites Anwendungsspektrum.

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