Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF
Die Digitalisierung und die dafür benötigten Schlüsseltechnologien sind ein wesentlicher Bestandteil der Antworten auf viele der gewaltigen Herausforderungen, vor denen die Gesellschaft heute steht. Die wichtigsten Voraussetzungen für eine digitale Revolution sind kostengünstige elektronische Komponenten und Systeme, die Big-Data-Anwendungen, drahtlose Gigabit-Kommunikation (z.B. 5G-Mobilfunk) oder energieeffiziente Rechenzentren erst möglich machen, denn elektrische Energie ist für diese Anwendungen die wesentliche Ressource.
In diesem Zusammenhang streben die Partner in dem Projekt die Bereitstellung einer kostengünstigen GaN-Technologie an, realisiert in einer hochvolumen CMOS-Linie und auf industriekompatiblen 200-mm-GaN-auf-Silizium-Wafern. Das Fraunhofer IAF beteiligt sich mit deiner Expertise gezielt an der Entwicklung einer lateralen »GaN-auf-Si«-Technologie bis zu einer Frequenz von 4.5 und 28 GHz. Dies beinhaltet die Bauteil-Konzeptionierung mithilfe von Simulationen, innovative Epitaxie- und Technologie-Experimente, umfangreiche Zuverlässigkeitsuntersuchung sowie die Charakterisierung und Modellierung der Transistoren. Die extrahierten Modelle kommen beim Entwurf eines integrierten 28-GHz-Leistungsverstärkers für 5G-Anwendungen zum Einsatz.
