Galliumnitrid-Verstärker für den 5G-Mobilfunkstandard

5G-Mobilfunkstandard 2020? Dafür entwickeln wir neue Verstärker, die 5G, UMTS und LTE parallel für die Kommunikation mit der Basisstation nutzen, sodass in zukünftigen 5G-Netzen Datenmengen von 1 Gbit/s direkt und zuverlässig übertragen werden können.

Leistungselektronik

Hochleistungs-Transistoren und Schaltungen auf Basis des Halbleiters Galliumnitrid

Immer effizientere Systeme zur Erzeugung, Verteilung und Nutzung von elektrischer Energie sind notwendig, um den steigenden Energiebedarf der Welt zu decken. Die Weiterentwicklung neuer Halbleitermaterialien, wie Galliumnitrid, ist erforderlich, um den wachsenden Herausforderungen zu begegnen.

Das Geschäftsfeld »Leistungselektronik« entwickelt Hochleistungs-Transistoren und monolithisch integrierte Schaltungen auf Basis des Verbindungshalbleiters Galliumnitrid (GaN). Mit dem Halbleitermaterial lässt sich eine leistungsstärkere und energieeffizientere Elektronik als mit Silizium realisieren. Unter Verwendung moderner »High-Electron-Mobility«-Transistoren entwickeln wir Leistungselektronik für Arbeitsfrequenzen von 10 kHz bis zu 100 GHz.

Mit GaN-Bauteilen kann in einer Vielzahl von Anwendungen Energie gespart werden. In Form von effizienten Spannungswandlern können diese nicht nur dem Markt der Elektro- und Hybridfahrzeuge neuen Antrieb geben, sondern auch die Effizienz von Solaranlagen oder Haushaltsgeräten steigern. Hochfrequente GaN-Leistungselektronik wird zudem im Mobilfunk und in Plasmageneratoren eingesetzt werden.