Elektronische Schaltungen

Wir entwickeln Transistoren, monolithisch integrierte Schaltungen (ICs) und Module für ein breites Anwendungsspektrum. Adressiert werden Hochfrequenz- und Leistungsanwendungen im Bereich der Mikrowellen und (Sub-)Millimeterwellen bis 800 GHz, sowie in der Leistungselektronik für den Einsatz in Leistungsschaltern und Wandlern bis 100 MHz.

Die Bauelemente auf Basis der verwendeten III/V-Halbleitermaterialien, wie Galliumnitrid (GaN) und Indium-Gallium-Arsenid (InGaAs), sind schnell, leistungsstark, rauscharm, linear und energieeffizient bei gleichzeitig geringer Baugröße.

Unsere metamorphe IC-Technologie auf Basis des InGaAs-HEMT umfasst die Gatelängen von 50 nm, 35 nm und 20 nm mit Grenzfrequenzen bis 1 THz für extrem rauscharme und breitbandige Anwendungen bei Raumtemperatur, aber auch unter kryogenen Bedingungen, um extrem geringe Rauschzahlen zu erzielen. Unsere Verstärker sind weltraumgeeignet und bieten niedrigste Rauschzahlen bei sehr hoher Verstärkung. Unsere Transceiver-ICs ermöglichen die ultraschnelle Daten-Übertragung bis 300 GHz und darüber.

Im Millimeterwellen-Bereich entwickeln wir Subsysteme, zum Beispiel kompakte Radarmodule mit höchster Messgenauigkeit für anspruchsvolle Anwendungen in der Materialprüfung, Automatisierungstechnik und Prozesskontrolle.

Die Aktivitäten im Bereich der Mikrowellen-Leistungsverstärker unter Verwendung von GaN-auf-Siliciumcarbid-Substraten umfassen integrierte Schaltungen bis über 100 GHz mit den folgenden Schwerpunkten: Leistungserzeugung im Bereich 1 – 2 GHz mit Leistungen von 1 kW, Mobilfunkverstärker im Bereich 0,5 – 6 GHz mit Leistungen bis 250 W und Verstärker für Funkstrecken im Ka-Band bis 40 GHz mit Leistungen von 5 – 10 W. Im E-Band (71 – 84 GHz) sind verschiedene ICs mit einer Ausgangsleistung um 1 W verfügbar. Der höhere Frequenzbereich bei 94 GHz wird für Radaranwendungen untersucht.

Auf dem Gebiet der Leistungsschalter und -Wandler im Materialsystem GaN-auf-Silicium-Substraten bieten wir F&E-Leistungen im Bereich der integrierten FET-Schaltungen und -Dioden für Module bis 3 kW pro Modul.