Galliumnitrid (GaN) –basierte Leistungsverstärker für 5G

Logo des Projektes »5G GaN2«.

Logo des Projektes »5G GaN2«.

Der Kommunikationsstandard der fünften Generation (5G) wird in Zukunft einen mobilen Internetzugang für die verschiedensten Anwendungen bereitstellen. Sowohl unzählige Sensoren mit niedriger Datenrate im »Internet der Dinge« als auch einzelne Endgeräte mit hohen Datenraten, wie sie beispielsweise beim Streamen von Videos genutzt werden, profitieren von dem neuen 5G-Netzwerk.

Zur Realisierung der geforderten hohen Datenraten will man sich in Zukunft auch Frequenzbänder im Millimeter-Wellenbereich (>24 GHz) zu Nutze machen, die eine 10-mal höhere Bandreite bereitstellen als die bis dahin verfügbaren Frequenzbänder (< 6 GHz). Ziel ist es für diese neuen Frequenzbänder die verfügbare Ausgangsleistung und die Energieeffizienz der Netz-Infrastruktur durch den Einsatz fortschrittlicher Galliumnitrid (GaN) –basierter Leistungsverstärker zu erhöhen.

Projekttitel 5G-GaN2 – 5G base stations GaN components and Circuits for RF transceivers -2
Laufzeit 2018 − 2021
Projektkoordinator Philippe Auxemery (UMS Semiconductors)
Fördermittelgeber EU | ECSEL Research and Innovation Actions
Projektpartner
  • UMS Semiconductor, France
  • CEA LETI, France
  • III-V Lab, France
  • Thales C, France
  • Ericsson A, Sweden
  • UMS GmbH, Germany
  • XFAB Dresden, Germany
  • Sencio, Netherlands
  • University of Erlangen, Germany
  • SweGaN AB, Sweden
  • MEC, Italy
  • University of Padova, Italy
  • Funcoats, Luxembourg
  • University College Dublin, Ireland
  • Benetel, Ireland
  • Slovak University of Technology in Bratislava, Slovakia
  • TESAT Spacecom GmbH & Co. KG, Germany
Projektleiter (IAF) Dr. Dirk Schwantuschke
Ziele
  • Entwicklung von GaN-basisteren Technologien und Verstärkerschaltungen, wahlweise auf kostengünstigen Si oder leistungsfähigen SiC-Substraten.
  • Realisierung von verschiedenen Demonstratoren bei 28, 38 und 80 GHz.

Weiterführende Informationen


Weitere Informationen zum Projekt »5G-GaN2« finden Sie unter dem folgenden Link: