Forschungsbereiche

 

Hochfrequenz-Elektronik

Unsere elektronischen integrierten Schaltungen zeichnen sich durch eine hohe Leistungsfähigkeit für Frequenzen bis über 700 GHz aus. Mittels einer ausgereiften Technologie auf Nanometerskala entstehen auf InAs-basierten Schichtfolgen monolithisch integrierte Millimeterwellen-Schaltungen.

 

Leistungselektronik

Auf Basis von Galliumnitrid entstehen Hochleistungs-Transistoren und monolithisch integrierte Schaltungen. Unter Verwendung von »High Electron Mobility«-Transistoren bauen wir Leistungselektronik für Arbeitsfrequenzen von 1 MHz bis zu 100 GHz auf.
 

Photodetektoren

Schwerpunkt unserer Forschung sind Detektoren hoher räumlicher Auflösung und mit der Fähigkeit, gleichzeitig Infrarot-Strahlung aus unterschiedlichen Wellenlängenbereichen zu erkennen, sowie Detektoren für den ultravioletten Wellenlängenbereich.
 

Halbleiterlaser

Wir entwickeln und fertigen Infrarot-Halbleiterlaser sowie Lasersysteme für den Wellenlängenbereich 2 – 12 μm und treiben die Realisierung von LEDs für den blauen bis ultravioletten Spektralbereich voran.
 

Halbleitersensoren

Mit modernen Materialien wie Diamant realisieren wir verschiedenste Mikro- und Nanosensoren. Im Haus hergestellter ein- und polykristalliner Diamant eignet sich aufgrund seiner herausragenden physikalischen Eigenschaften für vielfältige Anwendungen.