Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF
Das übergeordnete Ziel des Projekts »GaNonCMOS« ist die Entwicklung neuartiger, kostengünstiger und zuverlässiger GaN-basierter Prozesse, Komponenten, Module und Integrationsschemata. Außerdem soll der Nachweis ihrer Leistungsfähigkeit und ihres wirtschaftlichen Potenzials auf Systemebene für eine erhebliche Energieeinsparung bei einer Vielzahl energieintensiver Anwendungen erbracht werden. Das »GaNonCMOS«-Projekt zielt darauf ab, GaN-Leistungselektroniksysteme auf den nächsten Reifegrad zu bringen, indem es dicht integrierte Systeme bereit stellt.
