Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF
Damit sich Fahrzeuge mit Elektroantrieb langfristig durchsetzen können, müssen die Lademöglichkeiten flexibler werden. Um Ladesäulen mit Wechselstrom, Wandladestationen oder herkömmliche Steckdosen nutzen zu können, bedarf es On-Board-Ladegeräte. Diese im Fahrzeug mitgeführte Ladeelektronik muss möglichst klein, leicht und kostengünstig sein. Dafür braucht es extrem kompakte und gleichzeitig effiziente leistungselektronische Systeme auf Basis von Galliumnitrid (GaN).
Im Projekt »GaNIAL« werden erstmals Strom- und Temperatursensorik, Leistungstransistoren der 600 V-Klasse mit intrinsischen Freilaufioden und Gate-Treiber in einem GaN Power IC vereint. Dies ermöglicht höhere Schaltfrequenzen sowie eine Zustandsüberwachung direkt im Chip. Es wird die laterale Beschaffenheit des Leistungshalbleiters Galliumnitrid (GaN) genutzt werden, um einen neuen Grad an Leistungsdichte, Effizienz, Robustheit, Funktionalität und Zuverlässigkeit zu erreichen. Dieser Ansatz wird ermöglicht durch die Integration von Leistungsbauelementen, Treiberschaltungen und thermischer Zustandsüberwachung auf einem Halbleiterchip.
