Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF
Im Projekt »HyTeck« werden SiGe-BiCMOS- und GaN-Technologien in FOWLP-Systemen integriert.
Das Projekt »HyTeck« zielt auf die Schaffung einer Technologieplattform für die Hybridintegration der Silizium-Germanium (SiGe)-BiCMOS- und Gallium-Nitrid (GaN)-Halbleitertechnologien für Hochfrequenzanwendungen bis 67 GHz für Anwendungen in der Messtechnik und der Kommunikation. Durch die Kombination dieser beiden Technologien auf Waferebene mittels der Fan-out-Wafer-Lever-Packaging (FOWLP)-Technologie können integrierte Schaltkreise besonders leistungsfähig werden. Zusätzlich zu den anspruchsvollen technologischen Zielen wird auch die Entwicklung einer Designumgebung angestrebt, um eine kostengünstige Fertigung auch bei kleinen Stückzahlen und dadurch eine breite Nutzung zu ermöglichen.
