Hybridintegrationsplattform für zuverlässige Hochfrequenz-Schaltkreise

Im Projekt »HyTeck« werden SiGe BiCMOS und GaN Technologien in FOWLP Systemen integriert.
© Rhode und Schwarz

Im Projekt »HyTeck« werden SiGe BiCMOS und GaN Technologien in FOWLP Systemen integriert.

Das Vorhaben zielt auf die Schaffung einer Technologieplattform für die Hybridintegration der Silizium-Germanium (SiGe)-BiCMOS- und Gallium-Nitrid (GaN)-Halbleitertechnoligien für Hochfrequenzanwendungen bis 67 GHz für die Bereiche Messtechnik und Kommunikation. Durch die Kombination dieser beiden Technologien auf Waferebene mittels der Fan-out Wafer Lever Packaging (FOWLP) Technologie können integrierte Schaltkreise besonders leistungsfähig werden. Zusätzlich zu den anspruchsvollen technologischen Zielen wird auch die Entwicklung einer Designumgebung angestrebt, um eine kostengünstige Fertigung auch bei kleinen Stückzahlen und dadurch eine breite Nutzung zu ermöglichen.

Projekttitel HyTeck − Hybridintegrationsplattform für zuverlässige Hochfrequenz-Schaltkreise
Laufzeit 2017 − 2020
Fördermittelgeber BMBF – TechSys
Kooperationspartner
  • Rohde & Schwarz
  • Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik (IHP)
  • Fraunhofer IZM
  • AMIC Angewandte Micro-Messtechnik GmbH
  • Berliner Nanotest und Design
  • HSEB Dresden
Projektleiter Dr. Dirk Schwantuschke
Ziele
  • Fan-out Wafer Level Packaging Technologie
  • Hybridintegration von Si- und GaN-basierten Hochfrequenz Schaltungen