Hybridintegrationsplattform für zuverlässige Hochfrequenz-Schaltkreise

Im Projekt »HyTeck« werden SiGe-BiCMOS- und GaN-Technologien in FOWLP-Systemen integriert.
© Rhode und Schwarz

Im Projekt »HyTeck« werden SiGe-BiCMOS- und GaN-Technologien in FOWLP-Systemen integriert.

Das Projekt »HyTeck« zielt auf die Schaffung einer Technologieplattform für die Hybridintegration der Silizium-Germanium (SiGe)-BiCMOS- und Gallium-Nitrid (GaN)-Halbleitertechnologien für Hochfrequenzanwendungen bis 67 GHz für Anwendungen in der Messtechnik und der Kommunikation. Durch die Kombination dieser beiden Technologien auf Waferebene mittels der Fan-out-Wafer-Lever-Packaging (FOWLP)-Technologie können integrierte Schaltkreise besonders leistungsfähig werden. Zusätzlich zu den anspruchsvollen technologischen Zielen wird auch die Entwicklung einer Designumgebung angestrebt, um eine kostengünstige Fertigung auch bei kleinen Stückzahlen und dadurch eine breite Nutzung zu ermöglichen.

Projekttitel HyTeck − Hybridintegrationsplattform für zuverlässige Hochfrequenz-Schaltkreise
Laufzeit 2017 − 2020
Fördermittelgeber Bundesministerium für Bildung und Forschung – TechSys
Kooperationspartner
  • Rohde & Schwarz
  • Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik (IHP)
  • Fraunhofer IZM
  • AMIC Angewandte Micro-Messtechnik GmbH
  • Berliner Nanotest und Design
  • HSEB Dresden
Projektleiter Dr. Dirk Schwantuschke
Ziele
  • Fan-out Wafer Level Packaging Technologie
  • Hybridintegration von Si- und GaN-basierten Hochfrequenz Schaltungen