GaN-Leistungselektronik

GaN-basierte Bauelemente, Schaltungen und Module für höchste Energieeffizienz und maximale Spannung

Im Bereich Leistungselektronik konzentriert sich das Fraunhofer IAF auf die folgenden Aspekte:

  • Maximale Energieeffizienz für Elektromobilität, Klimatechnik und Informationstechnik
  • Neuartige laterale und vertikale 1200-V-Bauelemente
  • Monolithische und heterogene Integration
GaN-Halbbrücke des Fraunhofer IAF zur Energieumwandlung
© Fraunhofer IAF
GaN-Halbbrücke zur Energieumwandlung

Maximale Energieeffizienz für Elektromobilität, Klimatechnik und Informationstechnik

Energieeffiziente Leistungselektronik gehört zu den Schlüsseln für eine erfolgreiche Energiewende. Technologien auf Basis des Leistungshalbleiters Galliumnitrid (GaN) ermöglichen aufgrund der physikalischen Eigenschaften des Materials höhere Leistungen bei geringeren Verlusten gegenüber herkömmlichen Halbleitern wie Silizium (Si). Mit innovativen Bauelementen und Schaltungsdesigns erzielen Forschende des Fraunhofer IAF regelmäßig Bestwerte hinsichtlich Effizienz. Die Anwendungsbeispiele reichen von GaN-Hochvolt-Transistoren für die Elektromobilität über Ansteuerungselektronik für klimafreundliche elektrokalorische Wärmepumpen bis zu performanten und zugleich ressourcensparsamen Power ICs für die Informationstechnik.

Mittels PCB-Embedding realisierte monolithische Halbbrücke mit Niedervolt-HEMT für Point-of-Load-Wandler; entwickelt am Fraunhofer IAF
© Fraunhofer IAF
Monolithische Halbbrücke mit Niedervolt-HEMT für einen neuartigen Point-of-Load-Wandler

Laterale und vertikale 1200-V-GaN-Bauelemente

1200-V-Bauelemente sind eine essenzielle Entwicklung im Bereich der Elektromobilität beziehungsweise in der elektrischen Antriebs-, Lade- und Übertragungstechnik. Das Fraunhofer IAF arbeitet gemeinsam mit Erstausrüstern und Zulieferern an neuartigen Bauelementkonzepten, um Energieeffizienz und Leistungsdichte zu steigern, Kosten zu senken und die Zuverlässigkeit zu erhöhen. Dabei kommen sowohl laterale als auch vertikale Designs und deren Kombination zum Einsatz. Als Vorteil für die Forschenden und Partner erweist sich, dass Know-how und Infrastruktur entlang der gesamten Wertschöpfungskette am Fraunhofer IAF vorhanden sind: vom Design über Epitaxie, Prozesstechnik, Charakterisierung hin zur Aufbautechnik und Intergation in (Sub-)Systeme.

48-V/5-kW-Motor-Inverter mit Dreiphasen-Halbbrücke auf GaN-Basis, entwickelt am Fraunhofer IAF
© Fraunhofer IAF
Der 48-V/5-kW-Motor-Inverter mit Dreiphasen-Halbbrücke auf GaN-Basis ist ein kompaktes, effizientes Antriebsmodul für die Elektromobilität, das am Fraunhofer IAF auf Basis kommerzieller Bauelemente mit hoher Stückzahl entwickelt wurde.

Monolithische und heterogene Integration

Die Integration mehrerer Bauelemente und Funktionalitäten in einem Chip sind ein weiteres Forschungsgebiet des Fraunhofer IAF. Entwickelt werden zu diesem Zweck auch Technologien sowohl zur monolithischen wie auch heterogenen Integration, etwa GaN-auf-SiC- oder GaN-auf-Si-Prozesse. Ein Musterbeispiel für diese Kompetenz ist ein kompletter 3-Phasen-Motorinverter auf einem 2 x 2 mm2 großen einzelnen GaN-Chip. Forschende des Fraunhofer IAF haben diesen Chip mit drei Halbbrücken für die Ansteuerung eines bürstenlosen Gleichstrommotors (Brushless DC Motor, BLDC) realisiert und die Funktion für Motoranwendungen im Bereich der Robotik oder für Flugdrohnen demonstriert (DOI: 10.3390/s23146512). Das Bauelementkonzept lässt sich für kompakte, effiziente Antriebe in der Elektromobilität hochskalieren.

 

Fragen, Beratung, Zusammenarbeit

Erhalten Sie spezifische Informationen zu Ihrem Themenfeld und lassen Sie sich persönlich beraten. Kooperieren Sie mit uns in einem Projekt oder beauftragen Sie uns.

Technologien, Bauelemente und Schaltungen, Aufbau und Module

Verschaffen Sie sich einen Überblick über das Forschungs- und Entwicklungsportfolio des Fraunhofer IAF im Bereich Leistungselektronik.

 

GaN- und AlScN-Technologien

  • Epi-Strukturen auf 4''- bis 8''-Wafern
  • Prozesslinien auf 4''-Wafern
  • Laterale Prozesse bis 1200 V
  • Vertikale und quasi-vertikale Prozesse
 

Bauelemente und Schaltungen

  • Laterale GaN-Bauelemente bis 1200 V
  • Laterale Leistungsbauelemente und integrierte GaN-Leistungsschaltkreise (GaN-Power-ICs)
  • All-in-GaN-Leistungsschaltungen
  • Vertikale Bauelemente und GaN-Power-ICs
 

Aufbau und Module

  • Chip-Verbindungstechnik
  • Drahtbonden
  • PCB-Embedding
  • Packaging von Bauelementen
  • Modulfertigung

Service-Angebot in der Leistungselektronik

Unsere Fähigkeiten

  • Entwurf und Simulation von Bauelementen, Schaltungen und Modulen auf GaN-Basis
  • Laterale und vertikale GaN-Technologien
  • GaN-Epitaxie durch MOCVD
  • Individuelle Technologieentwicklung
  • Prozessierung bis 4''-Wafer 
  • Charakterisierung von Bauelementen und Schaltungen
  • Fertigung von Bauelementen und Modulen
  • Anfertigung von Demonstratoren
  • Kleinserienfertigung

Ihre Vorteile

  • Entwicklung und Fertigung nach Anwendungsspezifikationen
  • Hohe Leistungsdichte und Effizienz
  • Hohe Robustheit und Zuverlässigkeit
  • Hochintegrierte und kompakte Module
  • Präzise hauseigene Messkapazitäten

Weitere Informationen

Flyer zum Download

Informieren Sie sich über unsere Forschungs- und Entwicklungsaktivitäten und unser Leistungsangebot.

Wissenschaftliche Publikationen

Lernen Sie unsere aktuellsten Forschungsergebnisse kennen.

Kooperationsmöglichkeiten

Erfahren Sie, auf welchen Wegen Sie mit uns zusammenarbeiten können.