GaN4EmoBiL – GaN-Leistungshalbleiter für Elektromobilität und Systemintegration durch bidirektionales Laden

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Im Projekt »GaN4EmoBiL« arbeiten Partner aus Forschung und Industrie gemeinsam an der Entwicklung einer kostengünstigen und effizienten bidirektionalen Ladetechnologie für Elektrofahrzeuge.

Bidirektionales Laden bedeutet, dass Batterien von Elektrofahrzeugen die elektrische Energie nicht nur zum Fahren speichern, sondern bei Bedarf auch an ein elektrisches Gerät, ins Haus- oder Stromnetz abgeben können. E-Autos, die als mobile Pufferspeicher fungieren, können damit zur Flexibilisierung des Energiesystems und damit auch zur Reduzierung von CO2-Emissionen beitragen. Damit möglichst viele Batterien bidirektional geladen werden können, braucht es neue Ansätze: Deshalb erforschen die Projektpartner von »GaN4EmoBiL« neue Halbleiter-, Bauelement- und Systemtechnologien für die 800 V-Klasse, die gleichzeitig eine hohe Effizienz, geringe Kosten und eine kompakte Bauform erreichen.

Das Ziel des »GaN4EmoBiL«-Konsortiums besteht darin, mit neuen Halbleiter-, Bauelement- und Systemtechnologien ein intelligentes und kostengünstiges bidirektionales Ladesystem zu demonstrieren. Dafür erforschen die Projektpartner neue Halbleiter-Bauelemente (GaN-Hochvolt-Transistoren auf kostengünstigen alternativen Substraten), Bauteilkonzepte (bidirektional sperrfähige Leistungsschalter) sowie neue System-Komponenten (On- und Off-Board AC- und DC-Ladegeräte) auch im Hinblick auf ihre Zuverlässigkeit für stark erhöhte Betriebsdauern. Durch Demonstratoren soll die noch vorhandene Forschungs- und Entwicklungslücke adressiert werden, die momentan im Spannungsfeld zwischen Kosten, Effizienz, Kompaktheit, Funktionalität, Leistungsklasse und Spannungsklasse (800-V-Batterien) existiert.

Damit leistet »GaN4EmoBiL« einen wichtigen Beitrag für eine großflächige bidirektionale Systemintegration in der Elektromobilität. 

PROJEKTTITEL

GaN4EmoBiL – GaN-Leistungshalbleiter für Elektromobilität und Systemintegration durch bidirektionales Laden

 

LAUFZEIT

2023 – 2026

FÖRDERMITTELGEBER

Bundesministerium für Wirtschaft und Klimaschutz (BMWK)

KOORDINATOR

Dr. Stefan Mönch
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF

ZIELE

  • Entwicklung von GaN-Transistoren für 1200-V-Sperrspannung mittels alternativer Substrate und Realisierung einer monolithisch bidirektionalen Sperrfähigkeit für innovative Schaltungstopologien (Fraunhofer IAF)
  • Charakterisierung, Modellierung und Entwurf von bidirektionalen Ladeschaltungen in Hochvolt-GaN-Technologie (Universität Stuttgart – Institut für Robuste Leistungshalbleitersysteme (ILH))
  • Verbesserung des Wirkungsgrads von Onboard-Ladegeräten, Untersuchung der Auswirkungen höherer Betriebsstunden von bis zu 60.000 Stunden und Design-Optimierung (Robert Bosch GmbH)
  • Entwicklung eines Demonstrators eines bidirektionalen Inline-DC-Ladekabels für Fahrzeuge mit bis zu 800-V-Batteriespannung (Ambibox GmbH)

Das Bundesministerium für Wirtschaft und Klimaschutz (BMWK) fördert das Projekt im Rahmen des Programms »Elektro-Mobil«.

Weiterführende Informationen

Pressemitteilung zum Projektstart von Gan4EmoBil

»Batterien auf Rädern – Neue Ladetechnologie soll E-Autos als mobile Stromspeicher massentauglich machen«

 

Förderprogramm »Elektro-Mobil« des BMWK

Das Bundesministeriums für Wirtschaft und Klimaschutz fördert das Projekt im Rahmen des Programms »Elektro-Mobil«.