Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF
»ALL2GaN« hat das Ziel, den weltweiten Stand der Technik im Bereich GaN-basierter Schaltungen zu übertreffen. Hierzu entwickeln Forschende im Verbundprojekt zuverlässige Niederspannungs- und Hochspannungs-GaN-Leistungs- und Hochfrequenzelektronik sowie innovative Integrationstechnologie, die in einer Reihe von unterschiedlichen Anwendungsfällen demonstriert wird. Langfristig soll die Wettbewerbsfähigkeit innerhalb der Europäischen Union verbessert werden, um an die Spitze der industriellen Nutzung von GaN-basierten Technologien zu gelangen.
Ziel des Fraunhofer IAF und seinen Partnern ist die Entwicklung einer erschwinglichen Millimeterwellen-GaN-auf-Si-Technologie mit einer neuartigen Packaging-Technologie, die eine höhere Leistung und niedrigere Kosten auf Systemebene ermöglicht.
