Epitaxie-Experten unter sich

Impressionen vom German MBE-Workshop 2018

Am 11. und 12. Oktober drehte sich am Fraunhofer IAF alles um Kristallwachstum und insbesondere um die Molekularstrahlepitaxie (engl. molecular beam epitaxy, MBE). Etwa 100 Tagungsbesucher und Aussteller trafen sich in Freiburg zum German MBE-Workshop 2018, um neueste Forschungsergebnisse und Entwicklungen vorzustellen. Reichlich Gelegenheit zum Austausch mit der Industrie hatten die Tagungsteilnehmer auf der parallel stattfindenden Technologieausstellung. Im Anschluss an das reguläre Programm fand eine ausführliche Reinraumführung statt: Das Fraunhofer IAF verfügt über zwei Forschungs-MBE-Anlagen sowie drei Multiwafer-MBE-Anlagen, wie sie auch in der Industrie eingesetzt werden. Eine vierte Multiwafer-Anlage wird gerade im Rahmen der Forschungsfabrik Mikroelektronik Deutschland (FMD) in Betrieb genommen.

Der German MBE-Workshop blickt auf eine über dreißigjährige Historie zurück und fand bereits in den Jahren 1988 und 2002 in Freiburg statt. Am Ende des Workshops verkündete Konferenzleiter Dr. Rolf Aidam den nächsten Veranstaltungsort: Der German MBE-Workshop 2019 findet in Würzburg statt.

© Fraunhofer IAF
© Fraunhofer IAF
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Weiterführende Informationen

 

Kristallwachstum mit atomarer Präzision

Das Fraunhofer IAF lädt zum German MBE-Workshop 2018

 

German MBE Workshop 2018

Weiterführende Informationen zum MBE Workshop finden Sie unter dem folgenden Link (Webseite nur in englischer Sprache verfügbar):