LED-Beleuchtung mit Galliumnitrid

Das Fraunhofer IAF hat eine LED-Retrofit-Lampe entwickelt, die im Vergleich zu kommerziellen Modellen gleicher Größe eine doppelt so hohe Lichtleistung erzielt. Die Energieeffizienz der LED-Lampe wird maßgeblich von ihrem Treiber bestimmt, der den Wechselstrom aus dem Netz in Gleichstrom mit reduzierter Spannung wandelt. Der bereits für die LED-Chips verwendete Halbleiter Galliumnitrid (GaN) wird auch in der Treiberelektronik der Lampe eingesetzt und zeigt dabei deutliche Vorteile gegenüber dem üblicherweise verwendeten Silizium.

Vollkeramisches LED-Modul zum Einsatz für Beleuchtungszwecke.
© Foto Fraunhofer IAF

Vollkeramisches LED-Modul zum Einsatz für Beleuchtungszwecke.

Technische Daten

  • ƒƒBauform E27-Lampe
  • Treibereffizienz: 86 % mit galvanischer Trennung
  • ƒLeistungsaufnahme: 22,4 W
  • ƒLichtstrom: 2680 lm
  • ƒGesamteffizienz:120 lm/Wƒ
  • Höhere Schaltfrequenzen und geringere Schaltverluste
    im Vergleich zur Silizium-Technologie
  • Volumenreduzierung der Spulen und Kondensatoren
  • Betrieb bei hohen Temperaturen möglich