Auftragsepitaxie

Epitaxie

 

Wir bieten speziell zugeschnittene Lösungen im Bereich der III/V Halbleiterepitaxie. Dank hochmoderner Ausstattung ist es uns möglich, Pilotserienfertigungen von Bauteilen für die Leistungs- und Hochfrequenzelektronik sowie für Halbleiterlaser zu realisieren. Damit schaffen wir den Transfer von der Forschung zur Industrie.

Im Bereich der Wafer-Epitaxie können Sie die folgenden Leistungen mit uns beauftragen:  

  • Epitaxie kundenspezifischer Schichtstrukturen
  • Epitaxieentwicklung und Kleinserienproduktion
  • Herausragende Qualität und Reproduzierbarkeit
  • Wissenschaftliche Beratung
  • Umfangreiche Charakterisierung der gewachsenen Schichtstrukturen

In den folgenden Bereichen bieten wir bereits Produkte, die mithilfe unserer Epitaxietechnologie entwickelt werden konnten:  

Bereich Materialsysteme
Laserstrukturen
(Emissionswellenlänge 750 nm bis zu 12µm)
  • Diodenlaser (GaAs 750-1080 nm, InP 1300-1700 nm and GaSb 1800-2400 nm)
  • Quantum Cascade lasers
  • VCSEL
  • VECSEL
LEDs
  • IR-LED
  • UV-LED
Detektoren
  • Kurzwelliges Infrarot: InGaAs und extended-InGaAs
  • Mittel- und langwelliges Infrarot: Type-II-SL, QWIP
  • UV Detektoren
SESAM  
Elektronik
  • III/V-basierende pHEMT, mHEMT
  • AIGaN-HEMT auf SiC und Si
  • 8-Zoll Wafer
  • HBT
GaN Templates  
Andere auf Anfrage
 

 

Multiwafer MBE-Anlage
© Fraunhofer IAF

Multiwafer MBE-Anlage

Blick in den Reaktor einer 11-4" MOCVD-Anlage
© Fraunhofer IAF

Blick in den Reaktor einer 11-4" MOCVD-Anlage

Epitaxieausstattung

  • Singlewafer MBE für die Epitaxieentwicklung

  • Multiwafer MBE für III-As/P und III-As/Sb
    - Epitaxiekapazität: 7x2", 5x3", 4x4", 1x6"

  • Multiwafer MOVPE für III-As/P
     - Epitaxiekapazität: 6x2", 3x3", 1x4"

  • Multiwafer MOVPE für III-N
     - Epitaxiekapazität: 11x4", 3x8", 12x3"

     

Charakterisierung

  • Fotolumineszens (PL)
  • Hochauflösende Röntgenbeugung (HRXRD)
  • Sekundärionenmassenspektrometrie (SIMS)
  • Rasterkraftmikroskop (AFM)
  • Mapping des Flächenwiderstands
  • Optische Oberflächeninspektion
 
  • Messung von Bow und Warp
  • Hall- und CV-Messung
  • Messung von Reflektivität, Transmissions- und Absorptionsverhalten
  • REM, FIB, EDX
  • Herstellung von Bauelementen zum Test der Epitaxieschichten inklusive kompletter elektro-optischer Charakterisierung