Leistungselektronik

Hochleistungs-Transistoren und Schaltungen auf Basis des Halbleiters Galliumnitrid

Das Geschäftsfeld »Leistungselektronik« entwickelt Hochleistungs-Transistoren und monolithisch integrierte Schaltungen für Hochfrequenz- und Leistungsanwendungen auf Basis des Verbindungshalbleiters Galliumnitrid (GaN). Mit diesem Halbleitermaterial lässt sich Leistungselektronik mit höherer Betriebsfrequenz als mit Silizium bzw. GaAs realisieren. Unter Verwendung von »High-Electron-Mobility«-Transistoren entwickeln wir Leistungselektronik für Arbeitsfrequenzen von 10 kHz bis zu 200 GHz.

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