Wir entwickeln:
Transistoren, monolithisch integrierte Schaltungen (ICs) und Module für ein breites Anwendungsspektrum. Adressiert werden Hochfrequenz- und Leistungsanwendungen im Bereich der Mikrowellen und (Sub-)Millimeterwellen bis 670 GHz, sowie in der Leistungselektronik für den Einsatz in Leistungsschaltern und Wandlern bis 100 MHz.
Unsere Bauelemente auf Basis von Galliumnitrid (GaN) und Indium-Gallium-Arsenid (InGaAs) sind:
- leistungsstark
- rauscharm
- linear
- energieeffizient
- von geringer Baugröße