Leistungsverstärker für den Mobilfunk der 5. Generation

Um die Energieeffizienz von drahtlosen Telekommunikationsnetzen der 5. Generation zu verbessern und ungeahnte Datenraten zu ermöglichen, entwickelt das Fraunhofer IAF kundenspezifische Verstärkermodule. Der Einsatz von Galliumnitrid-Leistungstransistoren und integrierte Schaltungen ermöglichen Verstärker mit gleichzeitig hoher Bandbreite, Ausgangsleistung und Effizienz. Damit können beste Hochfrequenzdaten erreicht werden, während Betriebskosten und Energieverbrauch dennoch gering bleiben.

© Foto Fraunhofer IAF

Galliumnitrid-Leistungstransistor im Gehäuse.

Eigenschaften

  • GaN-Leistungstransistoren
  • Kompaktes Verstärkermodul
  • Bandbreite 0,5 – 4,2 bzw. 6 GHz
  • Ausgangsleistung 20 W bis 1 kW
  • Effizienz >55%
Die Leistungsverstärker des Fraunhofer IAF steigern die Energieeffizienz im Mobilfunk.
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Die Leistungsverstärker und GaN-integrierten-Schaltungen des Fraunhofer IAF steigern die Energieeffizienz im Mobilfunk und ermöglichen neuartige Richtfunkstrecken für höchste Datenraten.

Anwendungen

  • Mobilfunk-Basisstationen
  • Pico-Zellen und Makro BTS
  • 4.5 G LTE, 5G, WiFi
  • Multibandverstärker 0,5 – 6 GHz
  • Richtfunkstrecken im Ku-Band (12 – 18 GHz) , Ka-Band (26 – 40 GHz) und Q-Band (33 – 50 GHz) auf der Basis von GaN MMICs