Multiprojekt Wafer Run für Kunden

Multiprojekt Wafer Run und dedizierte Wafer Runs für Transistoren und Integrierte Schaltungen (ICs)

 

Auf der Basis seiner epitaktischen und technologischen Möglichkeiten bietet das Fraunhofer IAF elektronische Multiprojekt Wafer Runs (MPW) und ganze Maskenprozessierungen für externe Kunden an. Die Runs werden regelmäßig im Rhythmus von etwa vier Monaten angeboten.  

Die IC-Entwürfe werden dabei auf Vier-Zoll-Wafern prozessiert inklusive aller Prozessschritte, des vollen Rückseitenprozesses, der Messtechnik, der Inspektion und Vereinzelung. Die Entwurfsarbeiten können auch am Fraunhofer IAF beauftragt werden.

Der Zugang wird nach Abschluss eines NDAs und der Prüfung der Verfügbarkeit und Absprache der zu entwerfenden ICs durch Prozess Design Kits (PDKs) in der Keysight Entwurfsumgebung ADS unterstützt.

Rauscharmer Verstärker (mHEMT – 50 nm).
© Fraunhofer IAF

Rauscharmer Verstärker (mHEMT – 50 nm).

Leistungsverstärker (GaN – 100 nm).
© Fraunhofer IAF

Leistungsverstärker (GaN – 100 nm)

Die folgenden Technologien werden angeboten:

Technologie Gatelänge Feature
Metamorpher mHEMT IC Prozess M40 50 nm InAlAs/InGaAs Grounded Coplanar IC Prozess auf GaAs Substraten mit fT = 375 GHz
GaN50 HEMT 500 nm AlGaN/GaN auf s.i. SiC HEMT Powerbar und IC Prozess für Frequenzen bis bis ca. 6 GHz in Mikrostreifenleitungstechnologie
GaN25 HEMT 250 nm AlGaN/GaN auf s.i. SiC HEMT  Powerbar und IC Prozess für Frequenzen bis ca. 20 GHz in Mikrostreifenleitungstechnologie
GaN10 HEMT 100 nm AlGaN/GaN HEMT IC Prozess in Mikrostreifenleitungs- und Grounded Coplanar Waveguidetechnologie für Frequenzen bis 94 GHz