LED-Beleuchtung mit Galliumnitrid

Das Fraunhofer IAF hat eine LED-Retrofit-Lampe entwickelt, die im Vergleich zu kommerziellen Modellen gleicher Größe eine doppelt so hohe Lichtleistung erzielt. Die Energieeffizienz der LED-Lampe wird maßgeblich von ihrem Treiber bestimmt, der den Wechselstrom aus dem Netz in Gleichstrom mit reduzierter Spannung wandelt. Der bereits für die LED-Chips verwendete Halbleiter Galliumnitrid (GaN) wird auch in der Treiberelektronik der Lampe eingesetzt und zeigt dabei deutliche Vorteile gegenüber dem üblicherweise verwendeten Silizium.

 

Wussten Sie schon...

... dass die LED ein quantentechnologisches Bauelement ist?

 

Das blaue Licht wird durch die Rekombination von Elektronen und Löchern in einer kristallinen Indiumgalliumnitrid (InGaN)-Schicht des Halbleiterchips erzeugt, die aus nur 10 Atomlagen besteht und deren Indiumkonzentration über die Schicht hinweg fluktuiert.

Sowohl die geringe Dicke der lichtemittierenden Schicht als auch die nanoskalige Indiumfluktuation führen zur Ausbildung von Quantenpunkten und quantenphysikalischen Zuständen.

Vollkeramisches LED-Modul zum Einsatz für Beleuchtungszwecke.
© Fraunhofer IAF

Vollkeramisches LED-Modul zum Einsatz für Beleuchtungszwecke.

Technische Daten

  • ƒƒBauform E27-Lampe
  • Treibereffizienz: 86 % mit galvanischer Trennung
  • ƒLeistungsaufnahme: 22,4 W
  • ƒLichtstrom: 2680 lm
  • ƒGesamteffizienz:120 lm/Wƒ
  • Höhere Schaltfrequenzen und geringere Schaltverluste
    im Vergleich zur Silizium-Technologie
  • Volumenreduzierung der Spulen und Kondensatoren
  • Betrieb bei hohen Temperaturen möglich

Weiterführende Informationen

Pressemitteilung

LED-Lampen: Noch heller und stromsparender (01.03.2014)

Forschungsprojekt

SusLight: Ressourceneffiziente LED-Technologie