Evaluierung von Avalanche-Dioden als hochempfindliche UV-Detektoren

UV-Detektoren aus dem Halbleitermaterial Aluminium-Gallium-Nitrid (AlGaN) zeigen vielversprechende Eigenschaften. So lässt sich beispielsweise der empfindliche Spektralbereich über die Zusammensetzung einstellen. Das Fraunhofer IAF arbeitet an der Entwicklung von hochempfindlichen UV-Detektoren (Avalanche-Dioden) unter Ausnutzung des Lawineneffekts, der eine interne Verstärkung des Signals ermöglicht.

 

Projekttitel EvaSolar II − Evaluierung von Avalanche-Dioden als hochempfindliche UV-Detektoren  
Laufzeit 01/2015 – 12/2016  
Fördermittelgeber Bundesministerium der Verteidigung
 
Projektleiter Dr. Robert Rehm  
Ziele
  • Entwurf und Simulation geeigneter Schichtstrukturen
  • Epitaxie von AlGaN-Schicht­strukturen auf Gitter-angepassten Substraten
  • Entwicklung von Avalanche-Photodioden (APDs)
  • Bewertung der elektrisch-optischen Eigenschaften
 
Publikation Improved AlGaN p-i-n photodetectors for monitoring of ultraviolet radiation. Albrecht, B.; Kopta, S.; John, O.; Rütters, M.; Kunzer, M.; Driad, R.; Marenco, N.; Köhler, K.; Walther, M.; Ambacher, O.
In: IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics, Vol. 20, 2014, 380250