Effiziente Energiewandlung mit GaN-basierter Leistungselektronik

Die heutigen Silizium-basierten Lösungen in der Leistungselektronik sollen in Bezug auf Effizienz, Taktfrequenz, Zuverlässigkeit und Temperaturbereich signifikant übertroffen werden. Die Leistungsfähigkeit der Galliumnitrid-Technologie soll gemeinsam mit Industriepartnern für Anwendungen in der Haushaltstechnik, Heiztechnik, Elektromobilität, der Fertigungstechnik sowie für regenerative Energien nachgewiesen werden.

 

Projekttitel ZuGaNG − Zukünftige, effiziente Energiewandlung mit GaN-basierter Leistungselektronik der nächsten Generation  
Laufzeit 2014 − 2017  
Fördermittelgeber Bundesministerium für Bildung und Forschung  
Kooperationspartner
  • Robert Bosch GmbH
  • TRUMPF Hüttinger GmbH + Co. KG
  • KACO new energy GmbH
  • X-Fab Semiconductor Foundries AG
  • LEWICKI microelectronic GmbH
  • EDC Electronic Design Chemnitz GmbH
  • Fraunhofer ISIT
  • Ferdinand-Braun-Institut
  • Universität Erlangen
  • Hochschule Reutlingen
  • Universität Magdeburg
 
Projektleiter Dr. Patrick Waltereit  
Ziele
  • Reduktion der statischen und dynamischen Verluste gegenüber Silizium und Siliziumcarbid
  • Erhöhung der Taktfrequenz für kleinere und leichtere Systeme
  • Aufklärung der Korrelation zwischen strukturellen und elektrischen Eigenschaften
  • Verbesserung der Zuverlässigkeit
  • Bewertung der industriellen Fertigung von Galliumnitrid-Leistungstransistoren