Innovative III-Nitrid-Halbleiter-Komponenten und Module

Ziel des Projekts ist die Bereitstellung von Hochfrequenz-Transistoren und integrierten Schaltungen mit höchster Effizienz und hoher Leistung. Dazu werden breitbandige Hochfrequenz-Schaltungen und Module für Multifunktions-Anwendungen, Gegenmaßnahmen und Kommunikation für 0,4 – 20 GHz realisiert mit Leistungspegeln von bis zu 50 W. Die Eignung der GaN Bauelemente/ICs wird bis in den Bereich von 94 GHz erweitert.

 

Projekttitel InGaN – Innovative III-Nitrid-Halbleiter-Komponenten und Module für militärische Anwendungen  
Laufzeit 2012 − 2015  
Fördermittelgeber Bundesministerium der Verteidigung
 
Kooperationspartner Wehrtechnische Dienststelle für Informationstechnologie und Elektronik  
Projektleiter Dr. Rüdiger Quay
 
Ziele
  • Entwicklung eines mm-Wellen GaN-MMIC-Prozesses
  • Entwicklung einer Indium-basierten Materialbasis
  • Entwicklung von Störsendern
  • Realisierung von Breitbandverstärkern bis 20 GHz
  • Verbesserung der Zuverlässigkeit
 
Publikationen
  • Watt-level non-uniform distributed 6-37 GHz power amplifier MMIC with dual-gate driver stage in GaN technology
    Dennler, P.; Quay, R.; Brueckner, P.; Schlechtweg, M.; Ambacher, O. IEEE Topical Conference on Power Amplifiers for Wireless and Radio Applications, PAWR 2014 : 19-23 January 2014, Newport Beach, California Piscataway, NJ: IEEE, 2014
  • A 92 GHz GaN HEMT voltage-controlled oscillator MMIC
    Weber, R.; Schwantuschke, D.; Brueckner, P.; Quay, R.; Raay, F. van ; Ambacher, O.
    IEEE Microwave Theory and Techniques Society: International Microwave Symposium, IMS 2014 : 1-6 June 2014, Tampa Bay, Florida Piscataway, NJ: IEEE, 2014