INSIGHT

Die Leistungsfähigkeit künftiger 5G-Kommunikationssysteme zu erhöhen und gleichzeitig den Energieverbrauch sowie die Kosten zu senken sind die Ziele des europaweiten Forschungsprojekts INSIGHT. Die Forscher und Forscherinnen arbeiten an minimierten Bauteilen mit sowohl analogen als auch digitalen Funktionen für den Millimeterwellen-Frequenzbereich, um somit deren Leistung zu steigern. Für diesen Zweck kombinieren sie effiziente III-V-Halbleitermaterialien mit konventionellen Si-Technologien.

Project title INSIGHT – Integration of III-V Nanowire Semiconductors for Next Generation High Performance CMOS SOC Technologies  
Project duration 2016 − 2018  
Funding source European Union  
Project partner
  • Lund University, Sweden
  • University of Glasgow, United Kingdom
  • University College Cork, Ireland
  • Commissariat à l'energie atomique et aux energies alternatives, France
  • IBM Research, Switzerland
 
Internal project manager Dr. Thomas Merkle  
Goals
  • Technologie-Toolbox mit Materialien, Prozessen und der Integration von III-V n- und p-Kanal MOSFETs auf einer Siliziumplattform,
  • III-V-Nanodraht-MOSFET RF-Transistortechnologie,
  • Schaltkreis-Designbibliothek
  • Schaltkreisdemonstratoren mit klarem Technologiepfad in Richtung höherer TRL und Kommerzialisierung.
 

This project has received funding from the European Union’s Horizon 2020 Research and Innovation programme under grant agreement No 688784.