Unsere Forschungsfelder

 

Elektronische Schaltungen

 

Wir entwickeln auf der Basis von III/V-Verbindungshalbleitern Transistoren und Schaltungen für eine Vielzahl von Hochfrequenz- und Leistungsanwendungen, basierend auf metamorphen Galliumindiumarsenid- bzw. Galliumnitrid-Feldeffekttransistoren. Diese zeichnen sich durch hohe Grenzfrequenzen und geringes Rauschen bzw. hohe Effizienz und hohe Betriebsspannungen aus.

 

Optoelektronische Bauelemente

 

Wir entwickeln Infrarot-Halbleiterlaser, Infrarot- und UV-Detektoren sowie LED-Module für verschiedene Wellenlängenbereiche. Diese werden u. a.  für die Spektroskopie, die chemische Sensorik oder auch in Sicherheits-anwendungen eingesetzt.  

 

Module und Demonstratoren

 

Entsprechend den individuellen Anforderungen unserer Kunden realisieren wir Module und Demonstratoren auf Basis unserer Bauelemente und Schaltungen. Diese dienen zur Demonstration der Leistungsfähigkeit der am IAF entwickelten Technologien und ermöglichen unseren Kunde, diese in ihrer jeweiligen spezifischen Anwendung zu evaluieren

Materialentwicklung

 

Als Basis zukünftiger Bauelemente arbeiten wir an der Entwicklung neuer Materialien, wie Halbleiter mit großem Bandabstand inkl. Diamant und neuartigen piezoelektrischen Materialien wie Aluminiumscandiumnitrid (AlScN). Ferner entwickeln wir Verfahren zur gezielten Erzeugung und Manipulation von Defektzentren in ultrareinem Diamant als Basistechnologie für die Quantensensorik.