GaN-Chips für Kommunikationsanwendungen der 5. Generation

Prozessierter GaN-Wafer.
© Fraunhofer IAF

Prozessierter GaN-Wafer.

Ziel des Projekts »CoGaN« ist es, eine kompakte Aufbautechnik für integrierte Galliumnitrid (GaN)-Leistungshalbleiter in Kommunikationsmodulen zu erforschen. Bedingt durch die hohe Leistungsdichte bieten GaN-MMICs außergewöhnliche Eigenschaften, jedoch fehlen bislang fortgeschrittene und an GaAs- und Siliziumtechnik angepasste Aufbau- und Verbindungskonzepte, um hochintegriert und kostengünstig neue Anwendungen zu erschließen. Neue Bearbeitungsprozesse für GaN-Wafer, Schutzschichten sowie die Signaldurchführung sollen verbessert werden. Aspekte wie das Chipverglasen, die bonddrahtfreie HotVia-Technologie, das integrierte und strukturierte AuSn-Löten und das Air-Cavity-Package sind ebenfalls Teil des Forschungsvorhabens.  

Projekttitel CoGaN – Neuartige Packaging-Technologie für Galliumnitrid basierte Hochfrequenz-Elektroniksysteme
Laufzeit 2017 − 2020
Fördermittelgeber Bundesministerium für Bildung und Forschung – mit Projektträger VDI/VDE/IT
Kooperationspartner
  • ums GmbH (Verbundkoordinator)
  • RHe Microsystems GmbH
  • MSG Lithoglas GmbH
Projektleiter Dr. Rüdiger Quay
Ziele
  • Verbesserte Passivierungsschichten auf GaN-Komponenten zur Feuchtigkeitssteuerung bei gleichzeitiger Minimierung parasitärer Beiträge der schützenden Schicht
  • Untersuchung eines Verglasungsprozesses
  • Evaluierung der Hot-VIA-Technologie für die Signalzuführung von der Rückseite
  • Air-Cavity-Konzept zur hermetischen Versiegelung der Chip-Vorderseite