Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF
Prozessierter GaN-Wafer.
Ziel des Projekts »CoGaN« ist es, eine kompakte Aufbautechnik für integrierte Galliumnitrid (GaN)-Leistungshalbleiter in Kommunikationsmodulen zu erforschen. Bedingt durch die hohe Leistungsdichte bieten GaN-MMICs außergewöhnliche Eigenschaften, jedoch fehlen bislang fortgeschrittene und an GaAs- und Siliziumtechnik angepasste Aufbau- und Verbindungskonzepte, um hochintegriert und kostengünstig neue Anwendungen zu erschließen.
Im Projekt sollen neue Bearbeitungsprozesse für GaN-Wafer, Schutzschichten sowie die Signaldurchführung entwickelt werden. Aspekte wie das Chipverglasen, die bonddrahtfreie HotVia-Technologie, das integrierte und strukturierte AuSn-Löten und das Air-Cavity-Package sind ebenfalls Teil des Forschungsvorhabens.
