Großflächige Millimeterwellen-GaN-Technologie für die ESA

Für die Wetter- und Erdbeobachtung werden extrem leistungsstarke und robuste Bauteile benötigt. Mit einem europäischen Millimeterwellen-GaN-Foundry-Prozess kann der Aufbau solcher Bauteile enorm verbessert und kostengünstig umgesetzt werden.
© Mechanik - Fotolia.com

Für die Wetter- und Erdbeobachtung werden extrem leistungsstarke und robuste Bauteile benötigt. Mit einem europäischen Millimeterwellen-GaN-Foundry-Prozess kann der Aufbau solcher Bauteile enorm verbessert und kostengünstig umgesetzt werden.

Der Millimeterwellenbereich des Spektrums (30-300 GHz) wird von einer stetig wachsenden Anzahl an Anwendungen verwendet. Unter anderem gehören Anwendungen aus dem Bereich der Kommunikation, das Auto-Radars sowie die Wetter- und Erdbeobachtung zu dieser Gruppe. Diese Zunahme ist hauptsächlich auf die verbesserte Hochfrequenzfähigkeit von Halbleitern zurückzuführen. Gallium-Nitrid (GaN) ist ein bahnbrechendes Material, das in diesem Bereich, gerade bei Leistungsverstärkern, ein enormes Potenzial bietet. Für dieses Projekt arbeiten Experten des Fraunhofer IAF mit dem Material GaN daran, das epitaktische Wachstum, die Prozessierung und die Charakterisierung von Wafern zu optimieren. Ziel ist es, gemeinsam mit den Projektpartnern eine vorläufige Charakterisierung von Komponentenbausteinen zu entwickeln, die für die Etablierung eines industriellen europäischen Millimeterwellen-GaN-Prozesses genutzt werden kann

Projekttitel ESAmmWGaN -  Untersuchung und vorläufige Charakterisierung von Komponenten-bausteinen, die zur Etablierung eines industriellen europäischen mm-wave GaN Prozesses benötigt werden
Laufzeit 2015 − 2018
Projektkoordinator Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik (IAF)
Fördermittelgeber European Space Agency (ESA)
Kooperationspartner

United Monolithic Semiconductors (UMS) GmbH, France

Projektleiter Dr. Rüdiger Quay
Ziele
  • Realisierung eines industriellen Millimeterwellen-GaN-Prozesses
  • Epitaxie-Optimierung, Prozessierung und Charakterisierung
  • Millimeterwellen-GaN-Prozessraumkompatibilität