Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF
Der Millimeterwellenbereich des Spektrums 30 − 300 GHz wird von einer stetig wachsenden Anzahl an Anwendungen verwendet. Unter anderem gehören Anwendungen aus dem Bereich der Kommunikation, das Auto-Radar sowie die Wetter- und Erdbeobachtung zu dieser Gruppe. Diese Zunahme ist hauptsächlich auf die verbesserte Hochfrequenzfähigkeit von Halbleitern zurückzuführen. Galliumnitrid (GaN) ist ein bahnbrechendes Material, das in diesem Bereich, gerade bei Leistungsverstärkern, ein enormes Potenzial bietet. Für das Projekt »ESAmmWGaN« arbeiten Experten des Fraunhofer IAF mit dem Material GaN daran, das epitaktische Wachstum, die Prozessierung und die Charakterisierung von Wafern zu optimieren. Ziel ist es, gemeinsam mit den Projektpartnern eine vorläufige Charakterisierung von Komponentenbausteinen zu entwickeln, die für die Etablierung eines industriellen europäischen Millimeterwellen-GaN-Prozesses genutzt werden kann.