Gallium Nitrid-Leistungsverstärker

Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik

GaN-Leistungsverstärker
© Fraunhofer IAF

Effiziente GaN-Leistungsverstärker für Hochfrequenzanwendungen

Anforderungen

  • Ausgangsleistung 100 W
  • Power Barren 1 GHz -3 GHz (breitbandig)
  •  50 V Betriebsspannung
  • >55% PAE/ 60% DE
  • >16 dB lineare Verstärkung bei 2 GHz

Einsatzfelder und Zielmärkte

  • Anwendungen in Basisstationen des Mobilfunks
  • Breitbandige Funktechnik und Radar