Gallium Nitrid-Hochfrequenzverstärker

Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik

Hochfrequenzverstärker

© Fraunhofer IAF

Zweistufiger GaN-Mikrostreifenleiter-Verstärker

Anforderungen

  • 8 W Ausgangsleistung bei 8 GHz
  • >10 % Bandbreite 
  •  28 V Betriebsspannung (CW)
  • >35% PAE
  • >20 dB lineare Verstärkung bei 8 GHz

Einsatzfelder und Zielmärkte

  • Funkstrecken für die Mobilkommunikation
  • Radarsysteme